半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN201010528706.7
申请日
2010-10-25
公开(公告)号
CN102045047B
公开(公告)日
2011-05-04
发明(设计)人
福原淳 满田刚
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H03K1708
IPC分类号
H02H300 H02H308 H02H504
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
孙志湧;穆德骏
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[41]
半导体器件 [P]. 
木村肇 .
中国专利 :CN102496347B ,2012-06-13
[42]
半导体器件 [P]. 
清水隆之 .
中国专利 :CN1136611C ,1998-09-30
[43]
半导体器件 [P]. 
高桑浩一郎 ;
田中一雄 .
中国专利 :CN101232017A ,2008-07-30
[44]
半导体器件 [P]. 
中野拓真 ;
丸山智己 .
中国专利 :CN112599417A ,2021-04-02
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樫原洋次 .
日本专利 :CN110189782B ,2024-09-27
[47]
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赵庸恩 ;
崔银希 ;
金夏永 .
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家田义纪 ;
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盐野入丰 ;
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[49]
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[50]
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