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半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011327407.7
申请日：
2019-05-27
公开(公告)号：
CN112599417A
公开(公告)日：
2021-04-02
发明(设计)人：
中野拓真
丸山智己
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县
IPC主分类号：
H01L21335
IPC分类号：
H01L2364
H01L29778
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
李兰;孙志湧
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-04-02 | 公开 | 公开 |
| 2021-04-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20190527 |