半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510633696.6
申请日
2015-09-29
公开(公告)号
CN105470248A
公开(公告)日
2016-04-06
发明(设计)人
佐藤幸弘 舩津胜彦 金泽孝光 小井土雅宽 田谷博美
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2510
IPC分类号
H01L2511 H01L23528
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
陈伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
舩津胜彦 ;
佐藤幸弘 ;
金泽孝光 ;
小井土雅宽 ;
田谷博美 .
中国专利 :CN105470226B ,2016-04-06
[2]
半导体器件 [P]. 
舩津胜彦 ;
佐藤幸弘 ;
金泽孝光 ;
小井土雅宽 ;
田谷博美 .
中国专利 :CN205081110U ,2016-03-09
[3]
半导体器件 [P]. 
佐藤幸弘 ;
舩津胜彦 ;
金泽孝光 ;
小井土雅宽 ;
田谷博美 .
中国专利 :CN205039141U ,2016-02-17
[4]
半导体器件 [P]. 
马场伸治 ;
渡边正树 ;
德永宗治 ;
中川和之 .
中国专利 :CN103443915B ,2013-12-11
[5]
半导体器件 [P]. 
西槙介 ;
渡边慎太郎 ;
森昌吾 ;
中川信太郎 ;
铃山竹史 ;
一柳茂治 .
中国专利 :CN101312167A ,2008-11-26
[6]
半导体器件 [P]. 
佐藤幸弘 ;
宇野友彰 .
中国专利 :CN105762145B ,2016-07-13
[7]
半导体器件 [P]. 
锦泽笃志 ;
团野忠敏 ;
中村弘幸 ;
相马治 ;
上村圣 .
中国专利 :CN205039149U ,2016-02-17
[8]
半导体器件 [P]. 
佐藤幸弘 ;
宇野友彰 .
中国专利 :CN101673729B ,2010-03-17
[9]
半导体器件 [P]. 
坂田贤治 ;
秋叶俊彦 ;
船矢琢央 ;
土屋秀昭 ;
吉田裕一 .
中国专利 :CN108695264A ,2018-10-23
[10]
半导体器件 [P]. 
山田直树 .
中国专利 :CN104347563B ,2015-02-11