半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410384218.1

申请日：

2014-08-06

公开(公告)号：

CN104347563B

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

山田直树

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L23522 H01L2516

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-11	公开	公开
2016-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101673518118 IPC(主分类):H01L 23/488 专利申请号:2014103842181 申请日:20140806
2015-11-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723130808 IPC(主分类):H01L 23/488 专利申请号:2014103842181 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2021-07-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/488 申请日:20140806 授权公告日:20181113 终止日期:20200806
2018-11-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

山田直树 .

中国专利 :CN109616467A ,2019-04-12

[2]

半导体器件 [P].

舩津胜彦 ;

佐藤幸弘 ;

金泽孝光 ;

小井土雅宽 ;

田谷博美 .

中国专利 :CN105470226B ,2016-04-06

[3]

半导体器件 [P].

马场伸治 ;

渡边正树 ;

德永宗治 ;

中川和之 .

中国专利 :CN103443915B ,2013-12-11

[4]

半导体器件 [P].

佐藤幸弘 ;

宇野友彰 .

中国专利 :CN105762145B ,2016-07-13

[5]

半导体器件 [P].

福冈大辅 .

中国专利 :CN106158839A ,2016-11-23

[6]

半导体器件 [P].

舩津胜彦 ;

佐藤幸弘 ;

金泽孝光 ;

小井土雅宽 ;

田谷博美 .

中国专利 :CN205081110U ,2016-03-09

[7]

半导体器件 [P].

锦泽笃志 ;

团野忠敏 ;

中村弘幸 ;

相马治 ;

上村圣 .

中国专利 :CN205039149U ,2016-02-17

[8]

半导体器件 [P].

佐藤幸弘 ;

宇野友彰 .

中国专利 :CN101673729B ,2010-03-17

[9]

半导体器件 [P].

坂田贤治 ;

秋叶俊彦 ;

船矢琢央 ;

土屋秀昭 ;

吉田裕一 .

中国专利 :CN108695264A ,2018-10-23

[10]

半导体器件 [P].

佐藤幸弘 ;

舩津胜彦 ;

金泽孝光 ;

小井土雅宽 ;

田谷博美 .

中国专利 :CN105470248A ,2016-04-06

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