磁传感器及补偿磁传感器的温度相关特性的方法

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专利类型
发明
申请号
CN02829971.X
申请日
2002-11-29
公开(公告)号
CN1695066A
公开(公告)日
2005-11-09
发明(设计)人
佐藤秀树
申请人
申请人地址
日本静冈县
IPC主分类号
G01R3309
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
李晓舒;魏晓刚
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
磁传感器及补偿磁传感器的温度相关特性的方法 [P]. 
佐藤秀树 .
中国专利 :CN101308198A ,2008-11-19
[2]
磁传感器及补偿磁传感器的温度相关特性的方法 [P]. 
佐藤秀树 .
中国专利 :CN101308200A ,2008-11-19
[3]
磁传感器及补偿磁传感器的温度相关特性的方法 [P]. 
佐藤秀树 .
中国专利 :CN101308199B ,2008-11-19
[4]
磁传感器的制造方法及磁传感器 [P]. 
小林尚史 .
日本专利 :CN120529815A ,2025-08-22
[5]
磁传感器及磁传感器的制造方法 [P]. 
远藤大三 ;
筱龙德 ;
坂胁彰 ;
利根川翔 ;
渡边恭成 .
中国专利 :CN114761816A ,2022-07-15
[6]
磁传感器及磁传感器的制造方法 [P]. 
筱龙德 ;
远藤大三 .
日本专利 :CN113167840B ,2024-09-10
[7]
磁传感器及磁传感器的制造方法 [P]. 
远藤大三 .
中国专利 :CN110678768A ,2020-01-10
[8]
磁传感器及磁传感器的制造方法 [P]. 
筱龙德 ;
远藤大三 .
中国专利 :CN113167840A ,2021-07-23
[9]
磁传感器及磁传感器的制造方法 [P]. 
远藤大三 ;
筱龙德 ;
大桥荣久 .
中国专利 :CN112930483A ,2021-06-08
[10]
磁传感器、磁传感器装置及磁传感器系统 [P]. 
渡部司也 ;
平林启 .
日本专利 :CN119573779A ,2025-03-07