基于电子束蒸发的双钨坩埚结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610133184.8

申请日：

2016-03-09

公开(公告)号：

CN105586571B

公开(公告)日：

2016-05-18

发明(设计)人：

周国山薛元夏佑科张国栋

申请人：

申请人地址：

215125 江苏省苏州市工业园区生物纳米园星湖街218号C18栋

IPC主分类号：

C23C1430

IPC分类号：

代理机构：

苏州睿昊知识产权代理事务所(普通合伙) 32277

代理人：

伍见

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C23C 14/30 登记生效日:20180314 变更事项:专利权人变更前权利人:苏州新材料研究所有限公司变更后权利人:苏州新材料研究所有限公司变更事项:地址变更前权利人:215125 江苏省苏州市工业园区生物纳米园星湖街218号C18栋变更后权利人:215125 江苏省苏州市工业园区生物纳米园星湖街218号C18栋变更事项:共同专利权人变更后权利人:东部超导科技(苏州)有限公司江苏永鼎股份有限公司
2016-05-18	公开	公开
2018-03-16	授权	授权
2016-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101665079121 IPC(主分类):C23C 14/30 专利申请号:2016101331848 申请日:20160309

共 50 条

[1]

基于电子束蒸发的双钨坩埚结构 [P].

周国山 ;

薛元 ;

夏佑科 ;

张国栋 .

中国专利 :CN205398717U ,2016-07-27

[2]

坩埚及电子束蒸发镀膜系统 [P].

黄涛 ;

王志强 ;

蔡永安 ;

白泽文 ;

徐希翔 .

中国专利 :CN222540859U ,2025-02-28

[3]

电子束蒸发装置 [P].

G·马陶什 ;

H·弗拉斯克 ;

J·-S·利比格 ;

V·柯克霍夫 ;

J·-P·海因斯 ;

L·克洛斯 .

中国专利 :CN101484966B ,2009-07-15

[4]

电子束蒸发装置 [P].

王政英 ;

黄建伟 ;

邹冰艳 ;

潘昭海 ;

曹伟宸 .

中国专利 :CN101748369A ,2010-06-23

[5]

电子束蒸发镀膜装置及电子束蒸发镀膜系统 [P].

杨建 ;

王雪戈 ;

冯治华 .

中国专利 :CN223373199U ,2025-09-23

[6]

磁偏转电子束蒸发源 [P].

郭方准 ;

陈欣 .

中国专利 :CN206553621U ,2017-10-13

[7]

磁偏转电子束蒸发源 [P].

郭方准 ;

陈欣 .

中国专利 :CN106702328A ,2017-05-24

[8]

电子束蒸发镀膜系统 [P].

艾金虎 .

中国专利 :CN214496458U ,2021-10-26

[9]

电子束蒸发源装置 [P].

丁海峰 .

中国专利 :CN101619442A ,2010-01-06

[10]

电子束蒸发源装置 [P].

叶宗锋 ;

刘惠森 ;

杨明生 .

中国专利 :CN202705454U ,2013-01-30

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