单晶金刚石的扩径生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710805891.1

申请日：

2017-09-08

公开(公告)号：

CN107675249B

公开(公告)日：

2018-02-09

发明(设计)人：

任泽阳张金风陈万娇张进成郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2904

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

李园园

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/02 申请日:20170908
2021-03-26	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 25/02 登记生效日:20210312 变更事项:专利权人变更前权利人:西安电子科技大学变更后权利人:湖州中芯半导体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号变更后权利人:313008 浙江省湖州市吴兴区高新区中横港路33号2号厂房5号
2018-02-09	公开	公开
2020-07-07	授权	授权

共 50 条

[1]

MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法 [P].

马孟宇 ;

蔚翠 ;

郭建超 ;

刘庆斌 ;

王亚伟 ;

周闯杰 ;

何泽召 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114686971A ,2022-07-01

[2]

单晶金刚石生长方法和装置 [P].

汤朝晖 ;

高冰 ;

刘胜 ;

汪启军 ;

张磊 ;

潘俊衡 ;

谢英 .

中国专利 :CN108315816B ,2018-07-24

[3]

单晶金刚石外延生长方法、单晶金刚石及其片状籽晶 [P].

张军安 .

中国专利 :CN112048760A ,2020-12-08

[4]

单晶金刚石及其生长方法 [P].

D.S.米斯拉 .

中国专利 :CN107407005A ,2017-11-28

[5]

金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法 [P].

崔新春 ;

万玉喜 ;

胡浩林 ;

曾威 .

中国专利 :CN117568926B ,2024-09-13

[6]

金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法 [P].

崔新春 ;

万玉喜 ;

胡浩林 ;

曾威 .

中国专利 :CN117568926A ,2024-02-20

[7]

单晶金刚石生长用基底及单晶金刚石的制造方法 [P].

姚吉 ;

汪维峰 .

中国专利 :CN117552097A ,2024-02-13

[8]

一种生长金刚石单晶用样品托及金刚石单晶生长方法 [P].

丁雄傑 ;

王忠强 ;

王琦 ;

张国义 .

中国专利 :CN111074343A ,2020-04-28

[9]

单晶金刚石的制造方法和单晶金刚石 [P].

大岛龙司 ;

饭塚完司 ;

费多尔·沙霍夫 ;

亚历山大·布鲁 .

日本专利 :CN118251518B ,2025-06-13

[10]

单晶金刚石的制造方法和单晶金刚石 [P].

大岛龙司 ;

饭塚完司 ;

费多尔·沙霍夫 ;

亚历山大·布鲁 .

日本专利 :CN120210951A ,2025-06-27

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