单晶金刚石及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680014296.X

申请日：

2016-03-09

公开(公告)号：

CN107407005A

公开(公告)日：

2017-11-28

发明(设计)人：

D.S.米斯拉

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市珠烈街65号华侨银行大厦38－02/03室

IPC主分类号：

C30B2904

IPC分类号：

C23C1627

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

段菊兰;杨思捷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-28	公开	公开
2017-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/04 申请日:20160309
2018-05-29	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B 29/04 申请公布日:20171128

共 50 条

[1]

单晶金刚石外延生长方法、单晶金刚石及其片状籽晶 [P].

张军安 .

中国专利 :CN112048760A ,2020-12-08

[2]

一种单晶金刚石及其生长方法 [P].

耿方娟 ;

周泽华 ;

蒋以晨 .

中国专利 :CN120719395A ,2025-09-30

[3]

金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法 [P].

崔新春 ;

万玉喜 ;

胡浩林 ;

曾威 .

中国专利 :CN117568926B ,2024-09-13

[4]

金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法 [P].

崔新春 ;

万玉喜 ;

胡浩林 ;

曾威 .

中国专利 :CN117568926A ,2024-02-20

[5]

MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法 [P].

马孟宇 ;

蔚翠 ;

郭建超 ;

刘庆斌 ;

王亚伟 ;

周闯杰 ;

何泽召 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114686971A ,2022-07-01

[6]

单晶金刚石生长方法和装置 [P].

汤朝晖 ;

高冰 ;

刘胜 ;

汪启军 ;

张磊 ;

潘俊衡 ;

谢英 .

中国专利 :CN108315816B ,2018-07-24

[7]

一种生长金刚石单晶用样品托及金刚石单晶生长方法 [P].

丁雄傑 ;

王忠强 ;

王琦 ;

张国义 .

中国专利 :CN111074343A ,2020-04-28

[8]

单晶金刚石的扩径生长方法 [P].

任泽阳 ;

张金风 ;

陈万娇 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN107675249B ,2018-02-09

[9]

金刚石生长方法 [P].

王忠强 ;

刘南柳 ;

陶仁春 ;

王琦 ;

张国义 ;

王新强 .

中国专利 :CN114059159A ,2022-02-18

[10]

嵌入多晶金刚石结构中的一个或多个单晶金刚石及其生长方法 [P].

D.S.米斯拉 .

中国专利 :CN111655911A ,2020-09-11

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