嵌入多晶金刚石结构中的一个或多个单晶金刚石及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880070743.2

申请日：

2018-11-02

公开(公告)号：

CN111655911A

公开(公告)日：

2020-09-11

发明(设计)人：

D.S.米斯拉

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市珠烈街65号华侨银行大厦38－02/03室

IPC主分类号：

C30B2904

IPC分类号：

C01B3226 B01J802 C30B2814

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王琳;邵长准

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/04 申请日:20181102
2020-09-11	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶金刚石及其生长方法 [P].

D.S.米斯拉 .

中国专利 :CN107407005A ,2017-11-28

[2]

单晶金刚石外延生长方法、单晶金刚石及其片状籽晶 [P].

张军安 .

中国专利 :CN112048760A ,2020-12-08

[3]

通过多晶金刚石生长辅助的生长单晶金刚石的方法 [P].

R·J·巴斯奈特 ;

A·F·巴斯奈特 ;

A·查尔斯埃尔南德斯 ;

W·霍尔伯 ;

T·C·韦德 ;

A·J·布朗 .

中国专利 :CN114787430A ,2022-07-22

[4]

在单晶金刚石基质中包括多个CVD生长的小晶粒金刚石的金刚石材料 [P].

Y·察驰 .

中国专利 :CN112384648A ,2021-02-19

[5]

金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法 [P].

崔新春 ;

万玉喜 ;

胡浩林 ;

曾威 .

中国专利 :CN117568926A ,2024-02-20

[6]

金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法 [P].

崔新春 ;

万玉喜 ;

胡浩林 ;

曾威 .

中国专利 :CN117568926B ,2024-09-13

[7]

MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法 [P].

马孟宇 ;

蔚翠 ;

郭建超 ;

刘庆斌 ;

王亚伟 ;

周闯杰 ;

何泽召 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114686971A ,2022-07-01

[8]

单晶金刚石生长方法和装置 [P].

汤朝晖 ;

高冰 ;

刘胜 ;

汪启军 ;

张磊 ;

潘俊衡 ;

谢英 .

中国专利 :CN108315816B ,2018-07-24

[9]

多晶金刚石片的制备方法及多晶金刚石片 [P].

张晶 ;

王陶 ;

肖柏汲 .

中国专利 :CN120400996A ,2025-08-01

[10]

一种单晶金刚石及其生长方法 [P].

耿方娟 ;

周泽华 ;

蒋以晨 .

中国专利 :CN120719395A ,2025-09-30

← 1 2 3 4 5 →