一种基于III-V族窄禁带半导体异质结构的自旋信号探测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110521376.7

申请日：

2021-05-13

公开(公告)号：

CN113270542A

公开(公告)日：

2021-08-17

发明(设计)人：

寇煦丰孙璐薛丰铧刘晓阳

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区华夏中路393号

IPC主分类号：

H01L4306

IPC分类号：

H01L4308 H01L4310

代理机构：

上海申汇专利代理有限公司 31001

代理人：

徐俊;柏子雵

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-17	公开	公开
2021-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/06 申请日:20210513

共 50 条

[1]

一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器 [P].

胡仕刚 ;

高龙 ;

贡凯伦 ;

李炉焦 .

中国专利 :CN113015330A ,2021-06-22

[2]

一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器 [P].

寇煦丰 ;

孙璐 ;

张勇 ;

薛丰铧 .

中国专利 :CN112054116A ,2020-12-08

[3]

一种稀土掺杂III-V族半导体结构及其光电探测器结构 [P].

芦红 ;

程渊博 ;

姚金山 ;

张克冬 ;

李晨 ;

谢景龙 .

中国专利 :CN114975645B ,2024-03-19

[4]

具有多层III-V族异质结构的半导体结构 [P].

S·本特利 ;

R·加拉塔格 .

中国专利 :CN106449409B ,2017-02-22

[5]

基于SiC宽禁带半导体探测器的光电探测器 [P].

陈亮 ;

徐鹏霄 ;

欧阳晓平 ;

赵文锦 ;

阮金陆 ;

何世熠 ;

张忠兵 .

中国专利 :CN108428761B ,2018-08-21

[6]

耐受扩散的III-V族半导体异质结构及包括其的器件 [P].

H·W·肯内尔 ;

M·V·梅茨 ;

W·拉赫马迪 ;

G·杜威 ;

C·S·莫哈帕特拉 ;

A·S·默西 ;

J·T·卡瓦列罗斯 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN107430989B ,2017-12-01

[7]

一种宽禁带半导体紫外探测器 [P].

陆海 ;

周东 ;

唐起 .

中国专利 :CN111609928A ,2020-09-01

[8]

基于宽禁带半导体/钙钛矿异质结的宽频光电探测器 [P].

常晶晶 ;

黄相平 ;

林珍华 ;

苏杰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109713126A ,2019-05-03

[9]

一种III-V族半导体芯片 [P].

黄主龙 ;

王碧霞 .

中国专利 :CN115602664A ,2023-01-13

[10]

一种III-V族半导体MOS界面结构 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

孙兵 ;

卢力 .

中国专利 :CN102244094A ,2011-11-16

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