一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110242787.2

申请日：

2021-03-05

公开(公告)号：

CN113015330A

公开(公告)日：

2021-06-22

发明(设计)人：

胡仕刚高龙贡凯伦李炉焦

申请人：

申请人地址：

411201 湖南省湘潭市雨湖区石码头2号

IPC主分类号：

H05K118

IPC分类号：

G11C1116

代理机构：

北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531

代理人：

林杨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-22	公开	公开
2021-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H05K 1/18 申请日:20210305
2022-03-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器 [P].

寇煦丰 ;

孙璐 ;

张勇 ;

薛丰铧 .

中国专利 :CN112054116A ,2020-12-08

[2]

一种基于III-V族窄禁带半导体异质结构的自旋信号探测器 [P].

寇煦丰 ;

孙璐 ;

薛丰铧 ;

刘晓阳 .

中国专利 :CN113270542A ,2021-08-17

[3]

堆叠状的III-V族半导体构件 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN110364565A ,2019-10-22

[4]

一种III-V族半导体芯片 [P].

黄主龙 ;

王碧霞 .

中国专利 :CN115602664A ,2023-01-13

[5]

制造III-V族半导体装置的互连件的方法及III-V族半导体装置 [P].

张翼 ;

林岳钦 ;

蔡明谚 ;

张博盛 .

中国专利 :CN112563191A ,2021-03-26

[6]

制造III-V族半导体装置的互连件的方法及III-V族半导体装置 [P].

张翼 ;

林岳钦 ;

蔡明谚 ;

张博盛 .

中国专利 :CN112563191B ,2024-05-28

[7]

基于III-V族半导体材料的AC开关 [P].

G·德伯伊 ;

G·库拉托拉 .

中国专利 :CN105428322A ,2016-03-23

[8]

一种基于垂直型超宽禁带半导体器件的随机存储器及其制备方法 [P].

刘超 ;

张淑慧 ;

陈航 ;

杨天鹏 .

中国专利 :CN119653779A ,2025-03-18

[9]

III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板 [P].

藤原新也 ;

三好知顕 .

中国专利 :CN110234801B ,2019-09-13

[10]

III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板 [P].

藤原新也 ;

三好知顕 .

中国专利 :CN112838122A ,2021-05-25

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