半导体装置及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202110922399.9

申请日：

2021-08-12

公开(公告)号：

CN115020493A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

加藤浩朗下村纱矢马场祥太郎稻田充郎吉田裕史河井康宏

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L29423 H01L21336

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

徐殿军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-06	公开	公开
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210812

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

岸本裕幸 ;

加藤浩朗 ;

西口俊史 ;

下村纱矢 ;

富田幸太 .

中国专利 :CN113053994A ,2021-06-29

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

小林仁 .

中国专利 :CN103000690A ,2013-03-27

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

鸟居克行 ;

杉山欣二 .

中国专利 :CN101842903A ,2010-09-22

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

有吉惠子 ;

清水达雄 ;

四户孝 ;

先崎纯寿 ;

原田信介 ;

小岛贵仁 .

中国专利 :CN105981176B ,2016-09-28

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

鉾本吉孝 ;

西脇达也 ;

新井雅俊 .

中国专利 :CN105206607A ,2015-12-30

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

加藤浩朗 ;

小林研也 ;

西胁达也 .

日本专利 :CN112510084B ,2024-12-03

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

小岛秀伸 .

中国专利 :CN112466946A ,2021-03-09

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

金田充 ;

高桥英树 ;

友松佳史 .

中国专利 :CN101165897A ,2008-04-23

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

浅原英敏 .

中国专利 :CN102694021A ,2012-09-26

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

林弘和 .

中国专利 :CN103295888A ,2013-09-11

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