CMOS器件金属栅极及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910078421.5

申请日：

2009-02-20

公开(公告)号：

CN101494236A

公开(公告)日：

2009-07-29

发明(设计)人：

王文武陈世杰陈大鹏

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L21283 H01L213213 H01L27092 H01L218238

代理机构：

北京市德权律师事务所

代理人：

王建国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-29	公开	公开
2009-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-01-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101495594625 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2009100784215 申请公布日:20090729

共 50 条

[1]

具有金属栅极的CMOS器件及其形成方法 [P].

钟升镇 ;

朱鸣 ;

庄学理 ;

杨宝如 ;

吴伟成 ;

梁家铭 ;

吴欣桦 .

中国专利 :CN103178012B ,2013-06-26

[2]

金属栅极器件形成方法 [P].

雷通 ;

易海兰 ;

丁弋 .

中国专利 :CN105321884A ,2016-02-10

[3]

金属栅极结构及其形成方法 [P].

赛沙德利·甘古利 ;

柳尚澔 ;

李相协 ;

哈阳成 ;

李维迪 ;

金勋 ;

斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ;

雷雨 ;

凯文·莫雷斯 ;

唐先民 .

中国专利 :CN102959710B ,2013-03-06

[4]

金属栅极形成方法 [P].

雷通 .

中国专利 :CN105047613A ,2015-11-11

[5]

金属栅极及其形成方法 [P].

李欣怡 ;

洪正隆 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113380609A ,2021-09-10

[6]

金属栅极及其形成方法 [P].

李欣怡 ;

洪正隆 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113380609B ,2025-01-28

[7]

CMOS半导体器件的金属栅极结构及其形成方法 [P].

朱鸣 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102891145A ,2013-01-23

[8]

半导体器件及其金属栅极的形成方法 [P].

林静 ;

蔡国辉 .

中国专利 :CN109935518B ,2019-06-25

[9]

多栅极器件及其形成方法 [P].

朱熙甯 ;

江国诚 ;

潘冠廷 ;

林志昌 ;

王志豪 ;

陈仕承 .

中国专利 :CN113594157B ,2024-09-06

[10]

多栅极器件及其形成方法 [P].

朱熙甯 ;

江国诚 ;

潘冠廷 ;

林志昌 ;

王志豪 ;

陈仕承 .

中国专利 :CN113594157A ,2021-11-02

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