金属栅极形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510374270.3

申请日：

2015-06-30

公开(公告)号：

CN105047613A

公开(公告)日：

2015-11-11

发明(设计)人：

雷通

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101636472363 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2015103742703 申请日:20150630
2015-11-11	公开	公开
2019-10-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请公布日:20151111

共 50 条

[1]

金属栅极器件形成方法 [P].

雷通 ;

易海兰 ;

丁弋 .

中国专利 :CN105321884A ,2016-02-10

[2]

金属栅极结构及其形成方法 [P].

赛沙德利·甘古利 ;

柳尚澔 ;

李相协 ;

哈阳成 ;

李维迪 ;

金勋 ;

斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ;

雷雨 ;

凯文·莫雷斯 ;

唐先民 .

中国专利 :CN102959710B ,2013-03-06

[3]

金属栅极的形成方法 [P].

毛刚 .

中国专利 :CN105575788A ,2016-05-11

[4]

CMOS器件金属栅极及其形成方法 [P].

王文武 ;

陈世杰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN101494236A ,2009-07-29

[5]

金属栅极结构及其形成方法 [P].

王燕 ;

吴佳宏 ;

张文广 .

中国专利 :CN118737818A ,2024-10-01

[6]

金属栅极的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103545180A ,2014-01-29

[7]

金属栅极的形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104616990B ,2015-05-13

[8]

金属栅极的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN104752176B ,2015-07-01

[9]

金属栅极的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103794482A ,2014-05-14

[10]

金属栅极的形成方法 [P].

何其暘 ;

李凤莲 .

中国专利 :CN104752185B ,2015-07-01

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