金属栅极的形成方法

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专利类型
发明
申请号
CN201210422991.3
申请日
2012-10-30
公开(公告)号
CN103794482A
公开(公告)日
2014-05-14
发明(设计)人
禹国宾
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
金属栅极的形成方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN103545180A ,2014-01-29
[2]
金属栅极的形成方法 [P]. 
何其暘 ;
李凤莲 .
中国专利 :CN104752185B ,2015-07-01
[3]
金属栅极的形成方法 [P]. 
韩秋华 ;
李凤莲 .
中国专利 :CN104616981A ,2015-05-13
[4]
金属栅极的形成方法 [P]. 
蒋莉 .
中国专利 :CN102543702A ,2012-07-04
[5]
金属栅极的形成方法 [P]. 
陈枫 ;
刘焕新 .
中国专利 :CN102637586A ,2012-08-15
[6]
金属栅极的形成方法 [P]. 
张海洋 ;
张城龙 .
中国专利 :CN104752176B ,2015-07-01
[7]
金属栅极的形成方法 [P]. 
韩秋华 .
中国专利 :CN104616980B ,2017-11-28
[8]
铝金属栅极的形成方法 [P]. 
蒋莉 ;
黎铭琦 .
中国专利 :CN102543700A ,2012-07-04
[9]
金属栅极及MOS晶体管的形成方法 [P]. 
李凤莲 .
中国专利 :CN102479691A ,2012-05-30
[10]
一种金属栅极的形成方法 [P]. 
蒋莉 ;
黎铭琦 .
中国专利 :CN102543699A ,2012-07-04