金属栅极的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110036744.5

申请日：

2011-02-12

公开(公告)号：

CN102637586A

公开(公告)日：

2012-08-15

发明(设计)人：

陈枫刘焕新

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-15	公开	公开
2012-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101332115850 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011100367445 申请日:20110212
2015-04-29	授权	授权

共 50 条

[1]

金属栅极的形成方法 [P].

蒋莉 .

中国专利 :CN102543702A ,2012-07-04

[2]

铝金属栅极的形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102543700A ,2012-07-04

[3]

一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102487010A ,2012-06-06

[4]

金属栅极的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN104752176B ,2015-07-01

[5]

金属栅极的形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104616980B ,2017-11-28

[6]

金属栅极的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103794482A ,2014-05-14

[7]

金属栅极的形成方法 [P].

何其暘 ;

李凤莲 .

中国专利 :CN104752185B ,2015-07-01

[8]

金属栅极的形成方法 [P].

韩秋华 ;

李凤莲 .

中国专利 :CN104616981A ,2015-05-13

[9]

一种金属栅极的形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102543699A ,2012-07-04

[10]

一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法 [P].

蒋莉 .

中国专利 :CN102479694B ,2012-05-30

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