一种可打磨的微电极阵列

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821218188.7

申请日：

2018-07-30

公开(公告)号：

CN208505957U

公开(公告)日：

2019-02-15

发明(设计)人：

梁波蔡宇朱琴叶学松

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

G01N27327

IPC分类号：

B81B100 B81B700

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

傅朝栋;张法高

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-15	授权	授权

共 50 条

[1]

可打磨的微电极阵列及其封装和使用方法 [P].

梁波 ;

蔡宇 ;

朱琴 ;

叶学松 .

中国专利 :CN109030600A ,2018-12-18

[2]

微电极阵列 [P].

邢楚枫 .

中国专利 :CN223169743U ,2025-08-01

[3]

一种微电极阵列 [P].

赵平 ;

王千畅 ;

王智华 .

中国专利 :CN118342875A ,2024-07-16

[4]

一种柔性神经微电极阵列 [P].

张贯京 ;

陈兴明 ;

葛新科 ;

张少鹏 ;

方静芳 ;

克里斯基捏·普拉纽克 ;

艾琳娜·古列莎 ;

波达别特·伊万 ;

王海荣 ;

高伟明 ;

梁昊原 ;

程金兢 ;

梁艳妮 ;

周荣 ;

李慧玲 ;

邢立立 ;

徐之艳 ;

周亮 ;

肖应芬 ;

郑慧华 ;

唐小浪 ;

李潇云 .

中国专利 :CN204767032U ,2015-11-18

[5]

一种中空结构微电极阵列 [P].

汪红 ;

吴静 ;

丁桂甫 ;

赵小林 .

中国专利 :CN202224784U ,2012-05-23

[6]

抗位移微电极、微电极束、和微电极阵列 [P].

J·舒恩伯格 ;

G·林德 ;

C·赫斯特 ;

L-A·克莱门茨 .

中国专利 :CN103153392B ,2013-06-12

[7]

微电极阵列传感器 [P].

叶建山 ;

黄奕莹 .

中国专利 :CN202522538U ,2012-11-07

[8]

毫微电极阵列 [P].

约翰·P·佩特斯 .

中国专利 :CN1278917A ,2001-01-03

[9]

一种微电极阵列器件 [P].

陈雷 ;

康帅 .

中国专利 :CN106644898A ,2017-05-10

[10]

微电极阵列结构 [P].

王崇智 ;

何庆延 ;

黄大卫 ;

王文生 .

中国专利 :CN102671724B ,2012-09-19

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