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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010962082.3
申请日：
2020-09-14
公开(公告)号：
CN114188318A
公开(公告)日：
2022-03-15
发明(设计)人：
韩秋华
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L27088
IPC分类号：
H01L23528
H01L218234
H01L21768
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-03-15 | 公开 | 公开 |
| 2022-04-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20200914 |