积层构造体、铁电门薄膜晶体管及铁电薄膜电容器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280056578.8

申请日：

2012-10-23

公开(公告)号：

CN103999208A

公开(公告)日：

2014-08-20

发明(设计)人：

下田达也宫迫毅明德光永辅裴元国呈

申请人：

申请人地址：

日本埼玉县

IPC主分类号：

H01L218246

IPC分类号：

C01G2900 C01G3500 H01L2128 H01L21283 H01L21316 H01L21336 H01L21368 H01L21822 H01L2704 H01L27105 H01L29423 H01L2949 H01L29786 H01L29788 H01L29792 H01L4109 H01L4118 H01L4122 H01L4139

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

周善来;李雪春

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器 [P].

野口毅 ;

樱井英章 ;

藤井顺 ;

渡边敏昭 ;

曽山信幸 .

中国专利 :CN103130502B ,2013-06-05

[2]

一种氧化铪基铁电电容器、铁电薄膜晶体管及其制备方法 [P].

陆旭兵 ;

屈丹丹 ;

陶瑞强 ;

吴吉洋 .

中国专利 :CN120456569A ,2025-08-08

[3]

铁电薄膜电容 [P].

周静 ;

谢文广 ;

李钟婧 .

中国专利 :CN203013715U ,2013-06-19

[4]

半导体存储器、铁电场效应晶体管和铁电薄膜电容器 [P].

曾斌建 ;

谢世昌 ;

廖敏 ;

彭强祥 ;

杨琼 ;

周益春 .

中国专利 :CN114284361A ,2022-04-05

[5]

透明外延铁电薄膜电容器及其制备方法 [P].

陈峰 ;

吴文彬 .

中国专利 :CN100557737C ,2007-03-21

[6]

一种反铁电薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘森 ;

罗孝鹏 ;

李清江 ;

宋兵 ;

王义楠 ;

刘海军 ;

陈长林 ;

曹荣荣 ;

王伟 ;

孙毅 ;

李智炜 ;

王玺 ;

于红旗 ;

徐晖 ;

刁节涛 .

中国专利 :CN119894020A ,2025-04-25

[7]

薄膜晶体管的积层体结构 [P].

刘柏村 ;

洪松慰 ;

赖柏宏 .

中国专利 :CN108022977A ,2018-05-11

[8]

一种铁电薄膜晶体管及其制造方法 [P].

黄伟 .

中国专利 :CN111129150B ,2020-05-08

[9]

一种柔性外延铁电栅薄膜晶体管及其制备方法 [P].

钟向丽 ;

任传来 ;

谭丛兵 ;

王金斌 ;

李波 ;

郭红霞 ;

宋宏甲 ;

廖敏 .

中国专利 :CN108550627A ,2018-09-18

[10]

一种铁电薄膜晶体管及其制备方法 [P].

廖敏 ;

肖文武 ;

周益春 ;

彭强祥 ;

钟向丽 ;

王金斌 .

中国专利 :CN107170812A ,2017-09-15

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586958456 IPC(主分类):H01L 21/8246 专利申请号:2012800565788 申请日:20121023
2017-03-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101747997218 IPC(主分类):H01L 21/8246 专利申请号:2012800565788 申请公布日:20140820
2014-08-20	公开	公开