半导体存储器、铁电场效应晶体管和铁电薄膜电容器

被引：0

申请号：

CN202111634378.3

申请日：

2021-12-29

公开(公告)号：

CN114284361A

公开(公告)日：

2022-04-05

发明(设计)人：

曾斌建谢世昌廖敏彭强祥杨琼周益春

申请人：

申请人地址：

411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘街道湘潭大学

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L4902 H01L2951 H01L271159 H01L21336

代理机构：

深圳市温斯顿专利代理事务所(普通合伙) 44686

代理人：

徐员兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-05	公开	公开
2022-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20211229

共 50 条

[1]

铁电场效应晶体管和形成半导体结构的方法 [P].

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

马可·范·达尔 .

中国专利 :CN113054023B ,2024-11-29

[2]

铁电场效应晶体管及其制备方法和铁电存储器 [P].

林高波 ;

玉虓 .

中国专利 :CN116344345B ,2025-10-21

[3]

铁电场效应晶体管和形成半导体结构的方法 [P].

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

马可·范·达尔 .

中国专利 :CN113054023A ,2021-06-29

[4]

铁电场效应晶体管存储器及其制备方法 [P].

姜鹏飞 ;

徐盼 ;

彭学阳 ;

罗庆 .

中国专利 :CN121152214A ,2025-12-16

[5]

铁电场效应晶体管存储器及其制备方法 [P].

姜鹏飞 ;

徐盼 ;

杨阳 ;

彭学阳 ;

罗庆 .

中国专利 :CN121126789A ,2025-12-12

[6]

一种铁电场效应晶体管、铁电存储器和制造方法 [P].

李秀妍 ;

钟舒曼 ;

刘川川 ;

马超 ;

秦青 ;

周雪 ;

焦慧芳 .

中国专利 :CN118251775A ,2024-06-25

[7]

垂直铁电场效应晶体管的制备方法及垂直铁电场效应晶体管 [P].

田博博 ;

冯光迪 ;

朱秋香 ;

褚君浩 ;

段纯刚 .

中国专利 :CN114999919A ,2022-09-02

[8]

一种铁电场效应晶体管和半导体器件 [P].

罗庆 ;

陈煜婷 .

中国专利 :CN217822821U ,2022-11-15

[9]

铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法 [P].

蔡道林 ;

李平 ;

张树人 .

中国专利 :CN101000926A ,2007-07-18

[10]

存储器件及其铁电场效应晶体管和读取方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 ;

贾汉中 ;

刘逸青 ;

杨世海 ;

王奕 .

中国专利 :CN113380892A ,2021-09-10

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