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垂直铁电场效应晶体管的制备方法及垂直铁电场效应晶体管
被引:0
申请号
:
CN202210626127.9
申请日
:
2022-06-02
公开(公告)号
:
CN114999919A
公开(公告)日
:
2022-09-02
发明(设计)人
:
田博博
冯光迪
朱秋香
褚君浩
段纯刚
申请人
:
申请人地址
:
200000 上海市普陀区中山北路3663号
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L2978
代理机构
:
苏州九方专利代理事务所(特殊普通合伙) 32398
代理人
:
张文婷
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-02
公开
公开
2022-09-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20220602
共 50 条
[1]
具有混合阱的铁电场效应晶体管
[P].
S·邓克尔
论文数:
0
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0
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0
机构:
格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
S·邓克尔
;
D·M·克莱迈尔
论文数:
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机构:
格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
D·M·克莱迈尔
;
赵智兴
论文数:
0
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机构:
格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
赵智兴
;
H·穆拉奥斯曼诺维奇
论文数:
0
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0
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0
机构:
格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
H·穆拉奥斯曼诺维奇
.
德国专利
:CN117855271A
,2024-04-09
[2]
垂直场效应晶体管
[P].
姜明吉
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0
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姜明吉
;
朴乘汉
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朴乘汉
;
朴容喜
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朴容喜
;
白尚训
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白尚训
;
李相遇
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李相遇
;
千健龙
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千健龙
;
黄成万
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黄成万
.
中国专利
:CN107452802A
,2017-12-08
[3]
垂直场效应晶体管
[P].
于贤根
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0
于贤根
;
弗兰基·索
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弗兰基·索
;
金渡泳
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金渡泳
;
布哈本德拉·K·普拉丹
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布哈本德拉·K·普拉丹
.
中国专利
:CN108496240A
,2018-09-04
[4]
摩擦电场效应晶体管
[P].
张弛
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张弛
;
唐伟
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唐伟
;
张丽敏
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张丽敏
;
王中林
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0
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0
王中林
.
中国专利
:CN104600114B
,2015-05-06
[5]
垂直场效应晶体管和用于构造垂直场效应晶体管的方法
[P].
J·巴林豪斯
论文数:
0
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0
J·巴林豪斯
.
中国专利
:CN115136321A
,2022-09-30
[6]
垂直场效应晶体管及用于构造垂直场效应晶体管的方法
[P].
J·巴林豪斯
论文数:
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0
J·巴林豪斯
;
J·鲁德哈德
论文数:
0
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0
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0
J·鲁德哈德
.
中国专利
:CN114830350A
,2022-07-29
[7]
场效应晶体管
[P].
小桥昌浩
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0
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小桥昌浩
;
半田敬信
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半田敬信
;
荒牧晋司
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0
荒牧晋司
;
酒井良正
论文数:
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0
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0
酒井良正
.
中国专利
:CN100594617C
,2005-09-21
[8]
制造垂直场效应晶体管的方法和场效应晶体管
[P].
H·图斯
论文数:
0
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0
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0
H·图斯
.
中国专利
:CN100464430C
,2006-12-06
[9]
场效应晶体管
[P].
小桥昌浩
论文数:
0
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0
小桥昌浩
;
半田敬信
论文数:
0
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半田敬信
;
荒牧晋司
论文数:
0
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0
荒牧晋司
;
酒井良正
论文数:
0
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0
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酒井良正
.
中国专利
:CN101667624A
,2010-03-10
[10]
铁电场效应晶体管存储器及其制备方法
[P].
姜鹏飞
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
姜鹏飞
;
徐盼
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
徐盼
;
彭学阳
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
彭学阳
;
论文数:
引用数:
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机构:
罗庆
.
中国专利
:CN121152214A
,2025-12-16
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