垂直铁电场效应晶体管的制备方法及垂直铁电场效应晶体管

被引:0
申请号
CN202210626127.9
申请日
2022-06-02
公开(公告)号
CN114999919A
公开(公告)日
2022-09-02
发明(设计)人
田博博 冯光迪 朱秋香 褚君浩 段纯刚
申请人
申请人地址
200000 上海市普陀区中山北路3663号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2978
代理机构
苏州九方专利代理事务所(特殊普通合伙) 32398
代理人
张文婷
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
具有混合阱的铁电场效应晶体管 [P]. 
S·邓克尔 ;
D·M·克莱迈尔 ;
赵智兴 ;
H·穆拉奥斯曼诺维奇 .
德国专利 :CN117855271A ,2024-04-09
[2]
垂直场效应晶体管 [P]. 
姜明吉 ;
朴乘汉 ;
朴容喜 ;
白尚训 ;
李相遇 ;
千健龙 ;
黄成万 .
中国专利 :CN107452802A ,2017-12-08
[3]
垂直场效应晶体管 [P]. 
于贤根 ;
弗兰基·索 ;
金渡泳 ;
布哈本德拉·K·普拉丹 .
中国专利 :CN108496240A ,2018-09-04
[4]
摩擦电场效应晶体管 [P]. 
张弛 ;
唐伟 ;
张丽敏 ;
王中林 .
中国专利 :CN104600114B ,2015-05-06
[5]
垂直场效应晶体管和用于构造垂直场效应晶体管的方法 [P]. 
J·巴林豪斯 .
中国专利 :CN115136321A ,2022-09-30
[6]
垂直场效应晶体管及用于构造垂直场效应晶体管的方法 [P]. 
J·巴林豪斯 ;
J·鲁德哈德 .
中国专利 :CN114830350A ,2022-07-29
[7]
场效应晶体管 [P]. 
小桥昌浩 ;
半田敬信 ;
荒牧晋司 ;
酒井良正 .
中国专利 :CN100594617C ,2005-09-21
[8]
制造垂直场效应晶体管的方法和场效应晶体管 [P]. 
H·图斯 .
中国专利 :CN100464430C ,2006-12-06
[9]
场效应晶体管 [P]. 
小桥昌浩 ;
半田敬信 ;
荒牧晋司 ;
酒井良正 .
中国专利 :CN101667624A ,2010-03-10
[10]
铁电场效应晶体管存储器及其制备方法 [P]. 
姜鹏飞 ;
徐盼 ;
彭学阳 ;
罗庆 .
中国专利 :CN121152214A ,2025-12-16