具有混合阱的铁电场效应晶体管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311137231.2
申请日
2023-09-05
公开(公告)号
CN117855271A
公开(公告)日
2024-04-09
发明(设计)人
S·邓克尔 D·M·克莱迈尔 赵智兴 H·穆拉奥斯曼诺维奇
申请人
格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
申请人地址
德国德累斯顿
IPC主分类号
H01L29/78
IPC分类号
H01L29/15
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
林莹莹;牛南辉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
垂直铁电场效应晶体管的制备方法及垂直铁电场效应晶体管 [P]. 
田博博 ;
冯光迪 ;
朱秋香 ;
褚君浩 ;
段纯刚 .
中国专利 :CN114999919A ,2022-09-02
[2]
铁电场效应晶体管和形成半导体结构的方法 [P]. 
乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;
马可·范·达尔 .
中国专利 :CN113054023B ,2024-11-29
[3]
铁电场效应晶体管和形成半导体结构的方法 [P]. 
乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;
马可·范·达尔 .
中国专利 :CN113054023A ,2021-06-29
[4]
场效应晶体管布置和场效应晶体管布置的制造方法 [P]. 
亚尔马·E·A·胡伊特马 ;
巴尔特-亨德里克·胡伊斯曼 .
中国专利 :CN1791990B ,2006-06-21
[5]
一种栅注入型铁电场效应晶体管 [P]. 
黄芊芊 ;
徐劭迪 ;
黄如 .
中国专利 :CN121218643A ,2025-12-26
[6]
铁电场效应晶体管存储器及其制备方法 [P]. 
姜鹏飞 ;
徐盼 ;
杨阳 ;
彭学阳 ;
罗庆 .
中国专利 :CN121126789A ,2025-12-12
[7]
铁电场效应晶体管及其制备方法和铁电存储器 [P]. 
林高波 ;
玉虓 .
中国专利 :CN116344345B ,2025-10-21
[8]
垂直有机场效应晶体管 [P]. 
杨阳 ;
马丽平 .
中国专利 :CN1875496A ,2006-12-06
[9]
场效应晶体管 [P]. 
G·恩德斯 ;
B·菲斯彻 ;
H·施内德 ;
P·沃伊特 .
中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27
[10]
场效应晶体管 [P]. 
坂直树 ;
冈元大作 ;
田中秀树 .
中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25