学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
具有混合阱的铁电场效应晶体管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311137231.2
申请日
:
2023-09-05
公开(公告)号
:
CN117855271A
公开(公告)日
:
2024-04-09
发明(设计)人
:
S·邓克尔
D·M·克莱迈尔
赵智兴
H·穆拉奥斯曼诺维奇
申请人
:
格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
申请人地址
:
德国德累斯顿
IPC主分类号
:
H01L29/78
IPC分类号
:
H01L29/15
代理机构
:
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
:
林莹莹;牛南辉
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-04-26
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20230905
2024-04-09
公开
公开
共 50 条
[1]
垂直铁电场效应晶体管的制备方法及垂直铁电场效应晶体管
[P].
田博博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
田博博
;
冯光迪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冯光迪
;
朱秋香
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱秋香
;
褚君浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
褚君浩
;
段纯刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
段纯刚
.
中国专利
:CN114999919A
,2022-09-02
[2]
铁电场效应晶体管和形成半导体结构的方法
[P].
乔治奥斯·韦理安尼堤斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
乔治奥斯·韦理安尼堤斯
;
马可·范·达尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
马可·范·达尔
.
中国专利
:CN113054023B
,2024-11-29
[3]
铁电场效应晶体管和形成半导体结构的方法
[P].
乔治奥斯·韦理安尼堤斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
乔治奥斯·韦理安尼堤斯
;
马可·范·达尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马可·范·达尔
.
中国专利
:CN113054023A
,2021-06-29
[4]
场效应晶体管布置和场效应晶体管布置的制造方法
[P].
亚尔马·E·A·胡伊特马
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
亚尔马·E·A·胡伊特马
;
巴尔特-亨德里克·胡伊斯曼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
巴尔特-亨德里克·胡伊斯曼
.
中国专利
:CN1791990B
,2006-06-21
[5]
一种栅注入型铁电场效应晶体管
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
黄芊芊
;
徐劭迪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京大学
北京大学
徐劭迪
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
黄如
.
中国专利
:CN121218643A
,2025-12-26
[6]
铁电场效应晶体管存储器及其制备方法
[P].
姜鹏飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
姜鹏飞
;
徐盼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
徐盼
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
杨阳
;
彭学阳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
彭学阳
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
罗庆
.
中国专利
:CN121126789A
,2025-12-12
[7]
铁电场效应晶体管及其制备方法和铁电存储器
[P].
林高波
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
之江实验室
之江实验室
林高波
;
玉虓
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
之江实验室
之江实验室
玉虓
.
中国专利
:CN116344345B
,2025-10-21
[8]
垂直有机场效应晶体管
[P].
杨阳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨阳
;
马丽平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马丽平
.
中国专利
:CN1875496A
,2006-12-06
[9]
场效应晶体管
[P].
G·恩德斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
G·恩德斯
;
B·菲斯彻
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
B·菲斯彻
;
H·施内德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
H·施内德
;
P·沃伊特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
P·沃伊特
.
中国专利
:CN100477260C
,2004-10-27
[10]
场效应晶体管
[P].
坂直树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
坂直树
;
冈元大作
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冈元大作
;
田中秀树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
田中秀树
.
中国专利
:CN113972280A
,2022-01-25
←
1
2
3
4
5
→