一种栅注入型铁电场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511352765.6

申请日：

2025-09-22

公开(公告)号：

CN121218643A

公开(公告)日：

2025-12-26

发明(设计)人：

黄芊芊徐劭迪黄如

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D30/69 H10D30/01 H10D64/01 H10D64/68

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

贾晓玲

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-26	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直铁电场效应晶体管的制备方法及垂直铁电场效应晶体管 [P].

田博博 ;

冯光迪 ;

朱秋香 ;

褚君浩 ;

段纯刚 .

中国专利 :CN114999919A ,2022-09-02

[2]

具有混合阱的铁电场效应晶体管 [P].

S·邓克尔 ;

D·M·克莱迈尔 ;

赵智兴 ;

H·穆拉奥斯曼诺维奇 .

德国专利 :CN117855271A ,2024-04-09

[3]

一种铁电场效应晶体管阵列的写入方法 [P].

唐克超 ;

周粤佳 ;

黄如 .

中国专利 :CN119601054A ,2025-03-11

[4]

一种铁电场效应晶体管阵列的写入方法 [P].

唐克超 ;

周粤佳 ;

黄如 .

中国专利 :CN119601054B ,2025-10-24

[5]

铁电场效应晶体管和形成半导体结构的方法 [P].

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

马可·范·达尔 .

中国专利 :CN113054023B ,2024-11-29

[6]

铁电场效应晶体管和形成半导体结构的方法 [P].

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

马可·范·达尔 .

中国专利 :CN113054023A ,2021-06-29

[7]

摩擦电场效应晶体管 [P].

张弛 ;

唐伟 ;

张丽敏 ;

王中林 .

中国专利 :CN104600114B ,2015-05-06

[8]

一种铁电场效应晶体管、铁电存储器和制造方法 [P].

李秀妍 ;

钟舒曼 ;

刘川川 ;

马超 ;

秦青 ;

周雪 ;

焦慧芳 .

中国专利 :CN118251775A ,2024-06-25

[9]

铁电场效应晶体管及其制备方法 [P].

许高博 ;

刘思源 ;

许子铭 ;

张兆浩 .

中国专利 :CN118969838A ,2024-11-15

[10]

一种绝缘栅型压电场效应晶体管 [P].

张岩 ;

胡琴琴 .

中国专利 :CN109920844A ,2019-06-21

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