摩擦电场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310534913.7

申请日：

2013-11-01

公开(公告)号：

CN104600114B

公开(公告)日：

2015-05-06

发明(设计)人：

张弛唐伟张丽敏王中林

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号天工大厦C座

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

肖冰滨;陈潇潇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-06	公开	公开
2019-02-19	授权	授权
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 专利申请号:2013105349137 号牌文件序号:101675101956 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20131101

共 50 条

[1]

场效应晶体管 [P].

G·恩德斯 ;

B·菲斯彻 ;

H·施内德 ;

P·沃伊特 .

中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27

[2]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25

[3]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

国井彻郎 .

中国专利 :CN101079442A ,2007-11-28

[4]

场效应晶体管 [P].

野本和正 .

中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31

[5]

场效应晶体管 [P].

桑原博一 ;

池田征明 ;

泷宫和男 .

中国专利 :CN102333780A ,2012-01-25

[6]

场效应晶体管 [P].

约翰内斯·A·M·德波特 .

中国专利 :CN113555355A ,2021-10-26

[7]

场效应晶体管 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113497138A ,2021-10-12

[8]

场效应晶体管 [P].

田中健一郎 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN103003930B ,2013-03-27

[9]

场效应晶体管 [P].

小嵜正芳 ;

平田宏治 .

中国专利 :CN100499162C ,2007-03-28

[10]

场效应晶体管 [P].

佐佐木公平 .

中国专利 :CN111164740A ,2020-05-15

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