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铁电场效应晶体管及其制备方法和铁电存储器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310219281.9
申请日
:
2023-03-03
公开(公告)号
:
CN116344345B
公开(公告)日
:
2025-10-21
发明(设计)人
:
林高波
玉虓
申请人
:
之江实验室
申请人地址
:
311121 浙江省杭州市余杭区中泰街道之江实验室南湖总部
IPC主分类号
:
H10D30/01
IPC分类号
:
H10D30/60
H10D62/10
H10D64/23
H10D64/27
H10D64/01
H10D64/68
H01L21/28
H10B51/30
代理机构
:
杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250
代理人
:
亓一舟
法律状态
:
授权
国省代码
:
浙江省 杭州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-21
授权
授权
共 50 条
[1]
铁电场效应晶体管及其制造方法、存储器
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
俞滨
;
论文数:
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机构:
王丁
;
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机构:
薛飞
.
中国专利
:CN119028828A
,2024-11-26
[2]
铁电场效应晶体管及其制备方法、存储器件
[P].
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机构:
康晋锋
;
宋旭锦
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机构:
北京大学
北京大学
宋旭锦
;
孙迪江
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机构:
北京大学
北京大学
孙迪江
;
虞晨曦
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机构:
北京大学
北京大学
虞晨曦
;
李尚泽
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机构:
北京大学
北京大学
李尚泽
;
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机构:
周正
;
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机构:
刘晓彦
.
中国专利
:CN117976722A
,2024-05-03
[3]
铁电场效应晶体管存储器及其制备方法
[P].
姜鹏飞
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
姜鹏飞
;
徐盼
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
徐盼
;
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机构:
杨阳
;
彭学阳
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
彭学阳
;
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机构:
罗庆
.
中国专利
:CN121126789A
,2025-12-12
[4]
铁电场效应晶体管存储器及其制备方法
[P].
姜鹏飞
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中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
姜鹏飞
;
徐盼
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中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
徐盼
;
彭学阳
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
彭学阳
;
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机构:
罗庆
.
中国专利
:CN121152214A
,2025-12-16
[5]
一种铁电场效应晶体管、铁电存储器和制造方法
[P].
李秀妍
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华为技术有限公司
华为技术有限公司
李秀妍
;
钟舒曼
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华为技术有限公司
华为技术有限公司
钟舒曼
;
刘川川
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机构:
华为技术有限公司
华为技术有限公司
刘川川
;
马超
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华为技术有限公司
华为技术有限公司
马超
;
秦青
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华为技术有限公司
华为技术有限公司
秦青
;
周雪
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华为技术有限公司
华为技术有限公司
周雪
;
焦慧芳
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机构:
华为技术有限公司
华为技术有限公司
焦慧芳
.
中国专利
:CN118251775A
,2024-06-25
[6]
铁电场效应晶体管及其制备方法
[P].
于军
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于军
;
王华
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王华
;
王耘波
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王耘波
;
周文利
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周文利
;
周东祥
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周东祥
;
刘刚
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刘刚
;
谢基凡
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谢基凡
;
高俊雄
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高俊雄
.
中国专利
:CN1356728A
,2002-07-03
[7]
铁电场效应晶体管及其制备方法
[P].
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机构:
许高博
;
刘思源
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
刘思源
;
许子铭
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
许子铭
;
论文数:
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机构:
张兆浩
.
中国专利
:CN118969838A
,2024-11-15
[8]
铁电场效应晶体管及其制备方法
[P].
朱正勇
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朱正勇
;
朱慧珑
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朱慧珑
;
尹晓艮
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尹晓艮
.
中国专利
:CN108091693B
,2018-05-29
[9]
铁电场效应晶体管及其制备方法
[P].
曾斌建
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机构:
无锡九域瑞芯科技有限公司
无锡九域瑞芯科技有限公司
曾斌建
;
郝天奇
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机构:
无锡九域瑞芯科技有限公司
无锡九域瑞芯科技有限公司
郝天奇
;
廖敏
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机构:
无锡九域瑞芯科技有限公司
无锡九域瑞芯科技有限公司
廖敏
.
中国专利
:CN118073416A
,2024-05-24
[10]
一种铁电场效应晶体管及其制备方法
[P].
陈剑豪
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陈剑豪
;
王建禄
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王建禄
;
颜世莉
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颜世莉
;
谢志坚
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谢志坚
.
中国专利
:CN107204371B
,2017-09-26
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