一种铁电场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710338715.1

申请日：

2017-05-15

公开(公告)号：

CN107204371B

公开(公告)日：

2017-09-26

发明(设计)人：

陈剑豪王建禄颜世莉谢志坚

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2951 H01L21336

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

贾晓玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-26	公开	公开
2017-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170515
2020-11-03	授权	授权

共 50 条

[1]

铁电场效应晶体管及其制备方法、存储器件 [P].

康晋锋 ;

宋旭锦 ;

孙迪江 ;

虞晨曦 ;

李尚泽 ;

周正 ;

刘晓彦 .

中国专利 :CN117976722A ,2024-05-03

[2]

铁电场效应晶体管及其制备方法 [P].

于军 ;

王华 ;

王耘波 ;

周文利 ;

周东祥 ;

刘刚 ;

谢基凡 ;

高俊雄 .

中国专利 :CN1356728A ,2002-07-03

[3]

铁电场效应晶体管及其制备方法 [P].

许高博 ;

刘思源 ;

许子铭 ;

张兆浩 .

中国专利 :CN118969838A ,2024-11-15

[4]

铁电场效应晶体管及其制备方法 [P].

朱正勇 ;

朱慧珑 ;

尹晓艮 .

中国专利 :CN108091693B ,2018-05-29

[5]

铁电场效应晶体管及其制备方法 [P].

曾斌建 ;

郝天奇 ;

廖敏 .

中国专利 :CN118073416A ,2024-05-24

[6]

一种铁电场效应晶体管及其制备方法 [P].

王兴晟 ;

王成旭 ;

张子冲 ;

缪向水 .

中国专利 :CN114023696A ,2022-02-08

[7]

一种基于半导体纳米材料的铁电场效应晶体管及其制备方法 [P].

王恩哥 ;

符汪洋 ;

白雪冬 .

中国专利 :CN101075636A ,2007-11-21

[8]

垂直铁电场效应晶体管的制备方法及垂直铁电场效应晶体管 [P].

田博博 ;

冯光迪 ;

朱秋香 ;

褚君浩 ;

段纯刚 .

中国专利 :CN114999919A ,2022-09-02

[9]

铁电场效应晶体管及其制备方法和铁电存储器 [P].

林高波 ;

玉虓 .

中国专利 :CN116344345B ,2025-10-21

[10]

一种铁电场效应晶体管及其制备方法 [P].

廖敏 ;

肖文武 ;

周益春 ;

彭强祥 ;

钟向丽 ;

王金斌 .

中国专利 :CN107240606B ,2017-10-10

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