半导体异质结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710199698.4

申请日：

2007-12-17

公开(公告)号：

CN101207016A

公开(公告)日：

2008-06-25

发明(设计)人：

C·奥尔奈特 C·菲盖

申请人：

申请人地址：

法国贝尔尼

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21762 H01L2120

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

戈泊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-25	公开	公开
2012-04-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体异质结构和形成半导体异质结构的方法 [P].

马克·凯纳德 ;

克里斯托夫·菲盖 .

中国专利 :CN101140864A ,2008-03-12

[2]

半导体异质结构的制造方法 [P].

C·奥尔奈特 ;

C·菲盖 ;

N·达瓦尔 .

中国专利 :CN101192512A ,2008-06-04

[3]

半导体异质结构 [P].

迈克尔·安东尼·盖尔 .

中国专利 :CN1035585A ,1989-09-13

[4]

半导体异质结构及半导体器件 [P].

唐军 ;

陶淳 ;

齐胜利 ;

潘尧波 ;

纪攀峰 ;

沈波 ;

杨学林 .

中国专利 :CN111009579A ,2020-04-14

[5]

半导体异质结构热电器件 [P].

A.M.布拉特科夫斯基 ;

L.齐贝斯科夫 .

中国专利 :CN102369610A ,2012-03-07

[6]

半导体异质结构和包括该异质结构的光伏电池 [P].

雷吉斯·安德烈 ;

乔尔·布勒兹 ;

亨利·马里埃特 .

中国专利 :CN103688366A ,2014-03-26

[7]

半导体异质结构二极管 [P].

吴毅锋 ;

乌梅什·米什拉 ;

普里米特·帕里克 ;

储荣明 ;

伊兰·本-雅各布 ;

申立坤 .

中国专利 :CN102308390A ,2012-01-04

[8]

半导体异质结构、其制备方法及应用 [P].

周宇 ;

李水明 ;

戴淑君 ;

高宏伟 ;

孙钱 .

中国专利 :CN105990106A ,2016-10-05

[9]

半导体异质结构、其制备方法及半导体装置 [P].

胡凤霞 ;

王晶 ;

孙继荣 ;

沈保根 .

中国专利 :CN101826549B ,2010-09-08

[10]

半导体异质结构及其制造方法以及半导体装置 [P].

早藤纪生 ;

山本佳嗣 .

中国专利 :CN1193182A ,1998-09-16

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