半导体异质结构和形成半导体异质结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610128968.8

申请日：

2006-09-05

公开(公告)号：

CN101140864A

公开(公告)日：

2008-03-12

发明(设计)人：

马克·凯纳德克里斯托夫·菲盖

申请人：

申请人地址：

法国伯涅尼

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21335 H01L2100 H01L2904 H01L3300

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

丁香兰;李建忠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-02	授权	授权
2008-03-12	公开	公开
2008-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体异质结构 [P].

C·奥尔奈特 ;

C·菲盖 .

中国专利 :CN101207016A ,2008-06-25

[2]

半导体异质结构 [P].

迈克尔·安东尼·盖尔 .

中国专利 :CN1035585A ,1989-09-13

[3]

半导体异质结构及半导体器件 [P].

唐军 ;

陶淳 ;

齐胜利 ;

潘尧波 ;

纪攀峰 ;

沈波 ;

杨学林 .

中国专利 :CN111009579A ,2020-04-14

[4]

半导体异质结构及其形成方法 [P].

刘嘉哲 ;

黄彦纶 ;

林嫚萱 .

中国专利 :CN108807499B ,2018-11-13

[5]

半导体异质结构的制造方法 [P].

C·奥尔奈特 ;

C·菲盖 ;

N·达瓦尔 .

中国专利 :CN101192512A ,2008-06-04

[6]

双处理半导体异质结构和方法 [P].

格伦·S·所罗门 ;

戴维·J·米勒 ;

泰特苏佐·于达 .

中国专利 :CN1346512A ,2002-04-24

[7]

半导体异质结构、其制备方法及半导体装置 [P].

胡凤霞 ;

王晶 ;

孙继荣 ;

沈保根 .

中国专利 :CN101826549B ,2010-09-08

[8]

半导体异质结构及其制造方法以及半导体装置 [P].

早藤纪生 ;

山本佳嗣 .

中国专利 :CN1193182A ,1998-09-16

[9]

半导体-超导体异质结构 [P].

D·I·皮库林 ;

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫 ;

G·W·温克勒 ;

S·V·格罗尼恩 ;

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

M·J·曼弗拉 ;

A·安提波夫 ;

R·M·卢钦 .

美国专利 :CN114375504B ,2025-11-04

[10]

半导体-超导体异质结构 [P].

D·I·皮库林 ;

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫 ;

G·W·温克勒 ;

S·V·格罗尼恩 ;

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

M·J·曼弗拉 ;

A·安提波夫 ;

R·M·卢钦 .

中国专利 :CN114375504A ,2022-04-19

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