双处理半导体异质结构和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00806100.9

申请日：

2000-04-13

公开(公告)号：

CN1346512A

公开(公告)日：

2002-04-24

发明(设计)人：

格伦·S·所罗门戴维·J·米勒泰特苏佐·于达

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

戎志敏

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-04-24	公开	公开
2002-04-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-05-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101722913255 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL008061009 申请日:20000413 授权公告日:20040616 终止日期:20160413
2004-06-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体异质结构和形成半导体异质结构的方法 [P].

马克·凯纳德 ;

克里斯托夫·菲盖 .

中国专利 :CN101140864A ,2008-03-12

[2]

半导体异质结构 [P].

C·奥尔奈特 ;

C·菲盖 .

中国专利 :CN101207016A ,2008-06-25

[3]

半导体异质结构 [P].

迈克尔·安东尼·盖尔 .

中国专利 :CN1035585A ,1989-09-13

[4]

半导体异质结构及半导体器件 [P].

唐军 ;

陶淳 ;

齐胜利 ;

潘尧波 ;

纪攀峰 ;

沈波 ;

杨学林 .

中国专利 :CN111009579A ,2020-04-14

[5]

半导体异质结构的制造方法 [P].

C·奥尔奈特 ;

C·菲盖 ;

N·达瓦尔 .

中国专利 :CN101192512A ,2008-06-04

[6]

半导体异质结构、其制备方法及半导体装置 [P].

胡凤霞 ;

王晶 ;

孙继荣 ;

沈保根 .

中国专利 :CN101826549B ,2010-09-08

[7]

半导体异质结构及其制造方法以及半导体装置 [P].

早藤纪生 ;

山本佳嗣 .

中国专利 :CN1193182A ,1998-09-16

[8]

半导体异质结构和包括该异质结构的光伏电池 [P].

雷吉斯·安德烈 ;

乔尔·布勒兹 ;

亨利·马里埃特 .

中国专利 :CN103688366A ,2014-03-26

[9]

半导体异质结构及其形成方法 [P].

刘嘉哲 ;

黄彦纶 ;

林嫚萱 .

中国专利 :CN108807499B ,2018-11-13

[10]

双应力异质SOI半导体结构及其制造方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN103855005A ,2014-06-11

← 1 2 3 4 5 →