一种氮化硅陶瓷基片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011474068.5

申请日：

2020-12-14

公开(公告)号：

CN112573936B

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

段小明张卓贾德昌杨治华何培刚周玉

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C04B3581

IPC分类号：

C04B35584 C04B35638 C04B35645

代理机构：

北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473

代理人：

徐雪芹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	公开	公开
2022-12-09	授权	授权
2021-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/81 申请日:20201214

共 50 条

[1]

一种氮化硅陶瓷基片及其制备方法 [P].

孙峰 ;

李智 ;

姜自飞 ;

尚超峰 ;

王再义 ;

王建军 ;

吕沛远 ;

赵丽萍 ;

刁统贺 ;

杨志远 ;

闫卉 .

中国专利 :CN118359442A ,2024-07-19

[2]

一种氮化硅陶瓷基片的制备方法 [P].

张景贤 ;

戴金荣 ;

段于森 .

中国专利 :CN114890797A ,2022-08-12

[3]

一种高导热氮化硅陶瓷基片的制备方法 [P].

张景贤 ;

段于森 ;

吴炜炜 .

中国专利 :CN115028460A ,2022-09-09

[4]

氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

玄伟东 ;

任忠鸣 ;

赵登科 ;

刘利俊 ;

兰健 ;

李传军 .

中国专利 :CN107673765A ,2018-02-09

[5]

一种电路用氮化硅陶瓷基片及其制备方法 [P].

杨大胜 ;

周和平 ;

施纯锡 .

中国专利 :CN114591090A ,2022-06-07

[6]

一种高导热氮化硅陶瓷基片材料的制备方法 [P].

张景贤 ;

段于森 ;

刘宁 ;

江东亮 .

中国专利 :CN109400175B ,2019-03-01

[7]

氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P].

杨晓冬 ;

冼锐炜 .

中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22

[8]

一种氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

付伟峰 ;

窦涛 .

中国专利 :CN104072151A ,2014-10-01

[9]

氮化硅陶瓷基片及其制备方法、流延浆料的制备方法 [P].

陈闻杰 ;

何峰斌 ;

邓腾飞 ;

杨东林 .

中国专利 :CN119591411B ,2025-08-01

[10]

氮化硅陶瓷基片及其制备方法、流延浆料的制备方法 [P].

陈闻杰 ;

何峰斌 ;

邓腾飞 ;

杨东林 .

中国专利 :CN119591411A ,2025-03-11

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