氮化硅陶瓷基片及其制备方法、流延浆料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411788622.5

申请日：

2024-12-06

公开(公告)号：

CN119591411B

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

陈闻杰何峰斌邓腾飞杨东林

申请人：

广东国研新材料有限公司

申请人地址：

517000 广东省河源市高新区滨江路西边、高新五路南边广东河米科技有限公司厂房

IPC主分类号：

C04B35/596

IPC分类号：

C04B35/626 C04B35/622 C04B35/64

代理机构：

厦门市新华专利商标代理有限公司 35203

代理人：

吴成开;徐勋夫

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-11	公开	公开
2025-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/596申请日:20241206
2025-08-01	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化硅陶瓷基片及其制备方法、流延浆料的制备方法 [P].

陈闻杰 ;

何峰斌 ;

邓腾飞 ;

杨东林 .

中国专利 :CN119591411A ,2025-03-11

[2]

氮化硅陶瓷浆料及其制备方法和制备氮化硅流延膜的应用 [P].

施鹰 ;

贾颍飞 ;

谢建军 ;

雷芳 ;

章蕾 ;

丁毛毛 .

中国专利 :CN107857595A ,2018-03-30

[3]

一种氮化硅流延浆料及其制备方法、氮化硅陶瓷片、覆铜陶瓷基板 [P].

周维 ;

陈思怡 ;

罗文坡 ;

朱一鸣 .

中国专利 :CN119822851A ,2025-04-15

[4]

氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

杨晓冬 .

中国专利 :CN117776739A ,2024-03-29

[5]

氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

杜松墨 ;

刘光华 ;

赵硕 .

中国专利 :CN118047617A ,2024-05-17

[6]

一种高导热氮化硅陶瓷基片的制备方法 [P].

张景贤 ;

段于森 ;

吴炜炜 .

中国专利 :CN115028460A ,2022-09-09

[7]

一种光固化氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

伍尚华 ;

黄容基 ;

伍海东 ;

蒋强国 ;

鲁欣欣 .

中国专利 :CN108892515B ,2018-11-27

[8]

一种氮化硅陶瓷基片的制备方法 [P].

张景贤 ;

戴金荣 ;

段于森 .

中国专利 :CN114890797A ,2022-08-12

[9]

一种氮化硅陶瓷基片的制备方法 [P].

段小明 ;

张卓 ;

贾德昌 ;

杨治华 ;

何培刚 ;

周玉 .

中国专利 :CN112573936B ,2021-03-30

[10]

一种氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷及其制备方法和应用 [P].

伍尚华 ;

黄容基 ;

蒋强国 ;

伍海东 ;

刘文勇 .

中国专利 :CN108675796B ,2018-10-19

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