封装形貌辅助的自对准MRAM顶部触点

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080050046.8

申请日：

2020-09-08

公开(公告)号：

CN114207722A

公开(公告)日：

2022-03-18

发明(设计)人：

M·瑞佐罗 N·A·兰兹罗 B·博瑞格斯 L·克莱文格

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

G11C1116

IPC分类号：

H01L2722 H01L4312

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

边海梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/16 申请日:20200908
2022-03-18	公开	公开

共 50 条

[1]

具有封装形貌辅助的自对准MRAM顶部触点的方法及设备 [P].

M·瑞佐罗 ;

N·A·兰兹罗 ;

B·博瑞格斯 ;

L·克莱文格 .

美国专利 :CN114207722B ,2025-01-28

[2]

形成自对准触点 [P].

范淑贞 ;

B·普拉纳萨蒂哈伦 ;

A·格林 ;

谢瑞龙 ;

M·V·雷蒙德 ;

S·连 .

美国专利 :CN110892523B ,2024-01-05

[3]

形成自对准触点 [P].

范淑贞 ;

B·普拉纳萨蒂哈伦 ;

A·格林 ;

谢瑞龙 ;

M·V·雷蒙德 ;

S·连 .

中国专利 :CN110892523A ,2020-03-17

[4]

在线端的自对准顶部过孔形成 [P].

A.杜塔 ;

J.阿诺德 ;

D.梅特兹勒 .

美国专利 :CN114503249B ,2025-11-21

[5]

在线端的自对准顶部过孔形成 [P].

A.杜塔 ;

J.阿诺德 ;

D.梅特兹勒 .

中国专利 :CN114503249A ,2022-05-13

[6]

自对准作用沟槽触点 [P].

史蒂文·艾伦·莱特尔 .

中国专利 :CN104716182B ,2015-06-17

[7]

包含自对准导电触点的存储器装置 [P].

K·W·汤 ;

H·N·贾殷 ;

J·霍普金斯 .

中国专利 :CN114649344A ,2022-06-21

[8]

在三维存储器件中的自对准触点和用于形成该自对准触点的方法 [P].

朱宏斌 ;

唐娟 ;

华子群 .

中国专利 :CN111755455A ,2020-10-09

[9]

在三维存储器件中的自对准触点和用于形成该自对准触点的方法 [P].

朱宏斌 ;

唐娟 ;

华子群 .

中国专利 :CN110520991A ,2019-11-29

[10]

用于自对准触点方案的牺牲金属前电介质 [P].

托马斯·韦勒·芒特斯尔 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 ;

阿南达·K·巴纳基 ;

纳格拉杰·尚卡尔 .

中国专利 :CN105405760A ,2016-03-16

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