形成自对准触点

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201880047408.0
申请日
2018-07-16
公开(公告)号
CN110892523A
公开(公告)日
2020-03-17
发明(设计)人
范淑贞 B·普拉纳萨蒂哈伦 A·格林 谢瑞龙 M·V·雷蒙德 S·连
申请人
申请人地址
美国纽约
IPC主分类号
H01L218238
IPC分类号
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
刘都;于静
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
形成自对准触点 [P]. 
范淑贞 ;
B·普拉纳萨蒂哈伦 ;
A·格林 ;
谢瑞龙 ;
M·V·雷蒙德 ;
S·连 .
美国专利 :CN110892523B ,2024-01-05
[2]
自对准作用沟槽触点 [P]. 
史蒂文·艾伦·莱特尔 .
中国专利 :CN104716182B ,2015-06-17
[3]
用于形成自对准触点和局部互连的方法 [P]. 
理查德·T·舒尔茨 .
中国专利 :CN103946971A ,2014-07-23
[4]
在三维存储器件中的自对准触点和用于形成该自对准触点的方法 [P]. 
朱宏斌 ;
唐娟 ;
华子群 .
中国专利 :CN111755455A ,2020-10-09
[5]
在三维存储器件中的自对准触点和用于形成该自对准触点的方法 [P]. 
朱宏斌 ;
唐娟 ;
华子群 .
中国专利 :CN110520991A ,2019-11-29
[6]
封装形貌辅助的自对准MRAM顶部触点 [P]. 
M·瑞佐罗 ;
N·A·兰兹罗 ;
B·博瑞格斯 ;
L·克莱文格 .
中国专利 :CN114207722A ,2022-03-18
[7]
触点形成 [P]. 
詹姆斯·马修 ;
H·蒙特戈梅里·曼宁 .
中国专利 :CN101390208A ,2009-03-18
[8]
包含自对准导电触点的存储器装置 [P]. 
K·W·汤 ;
H·N·贾殷 ;
J·霍普金斯 .
中国专利 :CN114649344A ,2022-06-21
[9]
在线端的自对准顶部过孔形成 [P]. 
A.杜塔 ;
J.阿诺德 ;
D.梅特兹勒 .
中国专利 :CN114503249A ,2022-05-13
[10]
预间隔物自对准切口形成 [P]. 
张洵渊 ;
赖史班 .
中国专利 :CN108735661A ,2018-11-02