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形成自对准触点
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201880047408.0
申请日
:
2018-07-16
公开(公告)号
:
CN110892523A
公开(公告)日
:
2020-03-17
发明(设计)人
:
范淑贞
B·普拉纳萨蒂哈伦
A·格林
谢瑞龙
M·V·雷蒙德
S·连
申请人
:
申请人地址
:
美国纽约
IPC主分类号
:
H01L218238
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
:
刘都;于静
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-03-17
公开
公开
2020-04-10
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20180716
共 50 条
[1]
形成自对准触点
[P].
范淑贞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国际商业机器公司
国际商业机器公司
范淑贞
;
B·普拉纳萨蒂哈伦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国际商业机器公司
国际商业机器公司
B·普拉纳萨蒂哈伦
;
A·格林
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国际商业机器公司
国际商业机器公司
A·格林
;
谢瑞龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国际商业机器公司
国际商业机器公司
谢瑞龙
;
M·V·雷蒙德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国际商业机器公司
国际商业机器公司
M·V·雷蒙德
;
S·连
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国际商业机器公司
国际商业机器公司
S·连
.
美国专利
:CN110892523B
,2024-01-05
[2]
自对准作用沟槽触点
[P].
史蒂文·艾伦·莱特尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
史蒂文·艾伦·莱特尔
.
中国专利
:CN104716182B
,2015-06-17
[3]
用于形成自对准触点和局部互连的方法
[P].
理查德·T·舒尔茨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
理查德·T·舒尔茨
.
中国专利
:CN103946971A
,2014-07-23
[4]
在三维存储器件中的自对准触点和用于形成该自对准触点的方法
[P].
朱宏斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱宏斌
;
唐娟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
唐娟
;
华子群
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
华子群
.
中国专利
:CN111755455A
,2020-10-09
[5]
在三维存储器件中的自对准触点和用于形成该自对准触点的方法
[P].
朱宏斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱宏斌
;
唐娟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
唐娟
;
华子群
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
华子群
.
中国专利
:CN110520991A
,2019-11-29
[6]
封装形貌辅助的自对准MRAM顶部触点
[P].
M·瑞佐罗
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
M·瑞佐罗
;
N·A·兰兹罗
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
N·A·兰兹罗
;
B·博瑞格斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
B·博瑞格斯
;
L·克莱文格
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
L·克莱文格
.
中国专利
:CN114207722A
,2022-03-18
[7]
触点形成
[P].
詹姆斯·马修
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
詹姆斯·马修
;
H·蒙特戈梅里·曼宁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
H·蒙特戈梅里·曼宁
.
中国专利
:CN101390208A
,2009-03-18
[8]
包含自对准导电触点的存储器装置
[P].
K·W·汤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
K·W·汤
;
H·N·贾殷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
H·N·贾殷
;
J·霍普金斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
J·霍普金斯
.
中国专利
:CN114649344A
,2022-06-21
[9]
在线端的自对准顶部过孔形成
[P].
A.杜塔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
A.杜塔
;
J.阿诺德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
J.阿诺德
;
D.梅特兹勒
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
D.梅特兹勒
.
中国专利
:CN114503249A
,2022-05-13
[10]
预间隔物自对准切口形成
[P].
张洵渊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张洵渊
;
赖史班
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赖史班
.
中国专利
:CN108735661A
,2018-11-02
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