用于形成自对准触点和局部互连的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280055885.4

申请日：

2012-11-01

公开(公告)号：

CN103946971A

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

理查德·T·舒尔茨

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-23	公开	公开
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594325115 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012800558854 申请日:20121101
2016-11-09	授权	授权

共 50 条

[1]

自对准局部互连工艺中对于栅极的选择性局部互连 [P].

理查德·T·舒尔茨 .

中国专利 :CN102460671A ,2012-05-16

[2]

自对准局部互连 [P].

A·D·利拉克 ;

E·曼内巴赫 ;

A·潘 ;

R·申克尔 ;

S·A·博亚尔斯基 ;

W·拉赫马迪 ;

P·莫罗 ;

J·比勒费尔德 ;

G·杜威 ;

H·载允 ;

N·卡比尔 .

中国专利 :CN111564428A ,2020-08-21

[3]

形成自对准局部互连的方法和由此形成的结构 [P].

C·W·考伯格三世 ;

D·V·霍拉克 ;

S·波诺斯 ;

杨智超 ;

范淑贞 ;

S·K·卡纳卡萨巴帕西 .

中国专利 :CN102456617A ,2012-05-16

[4]

自对准栅极边缘和局部互连件及其制造方法 [P].

M·C·韦布 ;

M·博尔 ;

T·加尼 ;

S·S·廖 .

中国专利 :CN106415800B ,2017-02-15

[5]

形成自对准触点 [P].

范淑贞 ;

B·普拉纳萨蒂哈伦 ;

A·格林 ;

谢瑞龙 ;

M·V·雷蒙德 ;

S·连 .

美国专利 :CN110892523B ,2024-01-05

[6]

形成自对准触点 [P].

范淑贞 ;

B·普拉纳萨蒂哈伦 ;

A·格林 ;

谢瑞龙 ;

M·V·雷蒙德 ;

S·连 .

中国专利 :CN110892523A ,2020-03-17

[7]

用于形成自对准互连结构的方法 [P].

刘如淦 ;

张世明 ;

伍海涛 .

中国专利 :CN112309963A ,2021-02-02

[8]

用于形成自对准互连结构的方法 [P].

刘如淦 ;

张世明 ;

伍海涛 .

中国专利 :CN112309963B ,2025-04-22

[9]

用于局部触点接通和局部掺杂半导体层的方法 [P].

R·普罗伊 ;

A·格罗厄 ;

D·比罗 ;

J·兰特施 ;

M·霍夫曼 ;

J-F·尼卡达 ;

A·沃尔夫 .

中国专利 :CN102197491A ,2011-09-21

[10]

同时制造自对准接触窗和局部内连线的方法 [P].

骆统 ;

杨令武 ;

陈光钊 .

中国专利 :CN101051623A ,2007-10-10

← 1 2 3 4 5 →