自对准局部互连

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010031587.8

申请日：

2020-01-13

公开(公告)号：

CN111564428A

公开(公告)日：

2020-08-21

发明(设计)人：

A·D·利拉克 E·曼内巴赫 A·潘 R·申克尔 S·A·博亚尔斯基 W·拉赫马迪 P·莫罗 J·比勒费尔德 G·杜威 H·载允 N·卡比尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L23535

IPC分类号：

H01L23538 H01L2348 H01L21768 H01L2702

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

邬少俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/535 申请日:20200113
2020-08-21	公开	公开

共 50 条

[1]

用于形成自对准触点和局部互连的方法 [P].

理查德·T·舒尔茨 .

中国专利 :CN103946971A ,2014-07-23

[2]

自对准局部互连工艺中对于栅极的选择性局部互连 [P].

理查德·T·舒尔茨 .

中国专利 :CN102460671A ,2012-05-16

[3]

形成自对准局部互连的方法和由此形成的结构 [P].

C·W·考伯格三世 ;

D·V·霍拉克 ;

S·波诺斯 ;

杨智超 ;

范淑贞 ;

S·K·卡纳卡萨巴帕西 .

中国专利 :CN102456617A ,2012-05-16

[4]

具有自对准互连件的半导体器件 [P].

池育德 ;

李介文 ;

郭政雄 ;

蔡宗哲 ;

宋明相 ;

宋弘政 ;

王宏烵 .

中国专利 :CN103426915A ,2013-12-04

[5]

具有自对准互连件的半导体器件 [P].

张世明 ;

谢艮轩 ;

欧宗桦 ;

刘如淦 ;

范芳瑜 ;

侯元德 .

中国专利 :CN103378054A ,2013-10-30

[6]

自对准图形工艺方法及金属互连结构 [P].

颜丙杰 .

中国专利 :CN113793852A ,2021-12-14

[7]

具有自对准金属线互连件的无通孔互连结构 [P].

唐于博 ;

张世明 ;

谢艮轩 ;

刘如淦 .

中国专利 :CN103383937B ,2013-11-06

[8]

具有自对准互连件和阻挡部分的半导体器件 [P].

张世明 ;

谢艮轩 ;

欧宗桦 ;

刘如淦 ;

范芳瑜 ;

侯元德 .

中国专利 :CN103378053B ,2013-10-30

[9]

在用于集成电路(IC)的互连结构中形成自对准垂直互连通道(VIA) [P].

J·J·徐 ;

J·J·朱 ;

C·F·耶普 .

中国专利 :CN108886018A ,2018-11-23

[10]

用于高级FINFET互连的自对准光刻-蚀刻-光刻-蚀刻心轴切割工艺 [P].

杨晓鸣 ;

L·A·克莱文杰 .

美国专利 :CN120937133A ,2025-11-11

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