具有自对准互连件和阻挡部分的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210365276.0

申请日：

2012-09-26

公开(公告)号：

CN103378053B

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

张世明谢艮轩欧宗桦刘如淦范芳瑜侯元德

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L23528 H01L21768

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-30	公开	公开
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545323845 IPC(主分类):H01L 23/522 专利申请号:2012103652760 申请日:20120926
2016-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

具有自对准互连件的半导体器件 [P].

张世明 ;

谢艮轩 ;

欧宗桦 ;

刘如淦 ;

范芳瑜 ;

侯元德 .

中国专利 :CN103378054A ,2013-10-30

[2]

具有自对准互连件的半导体器件 [P].

池育德 ;

李介文 ;

郭政雄 ;

蔡宗哲 ;

宋明相 ;

宋弘政 ;

王宏烵 .

中国专利 :CN103426915A ,2013-12-04

[3]

具有金属互连件的半导体器件 [P].

李殷星 .

韩国专利 :CN113130441B ,2024-02-27

[4]

具有金属互连件的半导体器件 [P].

李殷星 .

中国专利 :CN113130441A ,2021-07-16

[5]

具有自对准外延源极和漏极延伸部分的半导体器件 [P].

B·塞尔 ;

T·加尼 ;

A·默西 ;

H·戈麦斯 .

中国专利 :CN101622690A ,2010-01-06

[6]

具有自对准通孔的半导体器件 [P].

陈建汉 ;

邱建智 ;

梁明中 .

中国专利 :CN111128855A ,2020-05-08

[7]

具有自对准结构的垂直栅半导体器件 [P].

戈登·M·格里芙娜 .

中国专利 :CN100438071C ,2005-09-28

[8]

具有自对准背侧特征的半导体器件 [P].

S·A·法内利 .

中国专利 :CN106663684A ,2017-05-10

[9]

具有自对准源区的功率半导体器件 [P].

H-J.蒂斯 .

中国专利 :CN110858546A ,2020-03-03

[10]

具有自对准触点半导体器件的制造方法 [P].

潘涍同 ;

崔铉哲 ;

崔昌植 .

中国专利 :CN1426101A ,2003-06-25

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