具有自对准外延源极和漏极延伸部分的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880006389.3

申请日：

2008-03-26

公开(公告)号：

CN101622690A

公开(公告)日：

2010-01-06

发明(设计)人：

B·塞尔 T·加尼 A·默西 H·戈麦斯

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

邬少俊;王英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-08-31	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101181290155 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2008800063893 公开日:20100106
2010-01-06	公开	公开

共 50 条

[1]

具有无尖端外延源极/漏极区的半导体器件 [P].

M·T·博尔 .

中国专利 :CN101681842A ,2010-03-24

[2]

具有自对准外延源和漏的多栅半导体器件 [P].

A.卡佩拉尼 ;

T.加尼 ;

K-Y.沈 ;

A.S.墨菲 ;

H.戈麦斯 .

中国专利 :CN102656672A ,2012-09-05

[3]

具有自对准外延源和漏的多栅半导体器件 [P].

A.卡佩拉尼 ;

T.加尼 ;

K-Y.沈 ;

A.S.墨菲 ;

H.戈麦斯 .

中国专利 :CN104992979B ,2015-10-21

[4]

具有准自对准源极/漏极FinFET的半导体器件及其形成方法 [P].

E·J·诺瓦克 ;

T·卢德维格 ;

M·艾昂 ;

欧阳齐庆 .

中国专利 :CN1967812A ,2007-05-23

[5]

半导体器件的源极/漏极结构 [P].

萧颖 .

中国专利 :CN104051532B ,2014-09-17

[6]

具有带底部电介质的外延源极/漏极区域的半导体器件 [P].

程健家 ;

林哲宇 ;

张智强 ;

游明华 ;

李启弘 .

中国专利 :CN119317150A ,2025-01-14

[7]

具有非对称源极/漏极的半导体器件 [P].

郑钟基 ;

姜明一 ;

金伦楷 ;

李宽钦 .

中国专利 :CN106158969A ,2016-11-23

[8]

具有非对称源极/漏极的半导体器件 [P].

郑钟基 ;

姜明一 ;

金伦楷 ;

李宽钦 .

中国专利 :CN107123685B ,2017-09-01

[9]

具有掺杂的源极/漏极区的半导体器件 [P].

南勇准 ;

金真范 ;

李商文 ;

金傔 ;

金孝珍 ;

李泰衡 ;

黄仁建 .

韩国专利 :CN119108426A ,2024-12-10

[10]

包括源极/漏极区的半导体器件 [P].

张星旭 ;

李承勳 ;

郑秀珍 ;

曺荣大 .

韩国专利 :CN111192923B ,2024-11-12

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