具有准自对准源极/漏极FinFET的半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610144540.2

申请日：

2006-11-10

公开(公告)号：

CN1967812A

公开(公告)日：

2007-05-23

发明(设计)人：

E·J·诺瓦克 T·卢德维格 M·艾昂欧阳齐庆

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

H01L218234 H01L21336 H01L2712 H01L27088 H01L2978

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静;李峥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-23	公开	公开
2007-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-01-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101381917682 IPC(主分类):H01L 21/84 专利号:ZL2006101445402 申请日:20061110 授权公告日:20090506 终止日期:20111110
2009-05-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的源极/漏极区域及其形成方法 [P].

刘威民 ;

舒丽丽 ;

李启弘 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN115084027A ,2022-09-20

[2]

半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法 [P].

林育樟 ;

陈亮吟 ;

聂俊峰 ;

张惠政 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN115036360A ,2022-09-09

[3]

用于形成具有自对准源极/漏极的FinFET的方法 [P].

许俊豪 ;

方子韦 ;

张郢 .

中国专利 :CN103903985A ,2014-07-02

[4]

具有自对准外延源极和漏极延伸部分的半导体器件 [P].

B·塞尔 ;

T·加尼 ;

A·默西 ;

H·戈麦斯 .

中国专利 :CN101622690A ,2010-01-06

[5]

半导体器件的源极/漏极结构 [P].

萧颖 .

中国专利 :CN104051532B ,2014-09-17

[6]

半导体器件以及PMOS FET的源极/漏极结构和PMOS FinFET的制造方法 [P].

黄翊铭 ;

陈秀亭 ;

张世杰 .

中国专利 :CN107665825A ,2018-02-06

[7]

鳍式半导体器件的自对准栅极和/或源极/漏极接触结构及其形成方法 [P].

S·S·宋 ;

J·J·徐 ;

K·雷姆 ;

杨达 ;

J·J·朱 ;

包钧敬 ;

N·N·莫朱梅德 ;

V·麦考森 ;

M·巴达洛格鲁 ;

C·F·耶普 .

中国专利 :CN107431086B ,2017-12-01

[8]

源极/漏极接触件的形成方法及半导体器件的形成方法 [P].

沙哈吉B.摩尔 ;

蔡俊雄 ;

张世杰 ;

游国丰 ;

彭成毅 .

中国专利 :CN109841671B ,2019-06-04

[9]

具有掺杂的源极/漏极区的半导体器件 [P].

南勇准 ;

金真范 ;

李商文 ;

金傔 ;

金孝珍 ;

李泰衡 ;

黄仁建 .

韩国专利 :CN119108426A ,2024-12-10

[10]

源极/漏极结构上方具有接触件的半导体结构及其形成方法 [P].

巫凯雄 ;

鬼木悠丞 .

中国专利 :CN105390535B ,2016-03-09

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