半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法

被引：0

申请号：

CN202210395063.6

申请日：

2022-04-15

公开(公告)号：

CN115036360A

公开(公告)日：

2022-09-09

发明(设计)人：

林育樟陈亮吟聂俊峰张惠政杨育佳

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2908

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978 H01L218238

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

杨佳婧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/08 申请日:20220415
2022-09-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的源极/漏极区域及其形成方法 [P].

刘威民 ;

舒丽丽 ;

李启弘 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN115084027A ,2022-09-20

[2]

源极/漏极结构及其形成方法 [P].

李宜静 ;

李昆穆 ;

李启弘 ;

李资良 .

中国专利 :CN105280699A ,2016-01-27

[3]

半导体器件的源极/漏极结构 [P].

萧颖 .

中国专利 :CN104051532B ,2014-09-17

[4]

具有准自对准源极/漏极FinFET的半导体器件及其形成方法 [P].

E·J·诺瓦克 ;

T·卢德维格 ;

M·艾昂 ;

欧阳齐庆 .

中国专利 :CN1967812A ,2007-05-23

[5]

源极/漏极接触件的形成方法及半导体器件的形成方法 [P].

沙哈吉B.摩尔 ;

蔡俊雄 ;

张世杰 ;

游国丰 ;

彭成毅 .

中国专利 :CN109841671B ,2019-06-04

[6]

半导体器件的带空隙的源极/漏极结构 [P].

郭紫微 ;

吕惟皓 ;

温政彦 ;

游明华 ;

李启弘 .

中国专利 :CN120035172A ,2025-05-23

[7]

用于半导体器件的源极/漏极堆叠件压力源 [P].

吴志强 ;

张广兴 ;

江国诚 ;

苏俊钟 ;

朱熙甯 .

中国专利 :CN103715258A ,2014-04-09

[8]

源极/漏极结构上方具有接触件的半导体结构及其形成方法 [P].

巫凯雄 ;

鬼木悠丞 .

中国专利 :CN105390535B ,2016-03-09

[9]

轻掺杂漏极的形成方法和半导体器件 [P].

毛刚 ;

王家佳 .

中国专利 :CN101740517A ,2010-06-16

[10]

有机半导体器件及其源极/漏极用电极的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

牧田龙幸 .

日本专利 :CN114424355B ,2025-12-12

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