具有掺杂的源极/漏极区的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410236361.X

申请日：

2024-03-01

公开(公告)号：

CN119108426A

公开(公告)日：

2024-12-10

发明(设计)人：

南勇准金真范李商文金傔金孝珍李泰衡黄仁建

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/08

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

李娜;王凯霞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

包括源极/漏极区的半导体器件 [P].

张星旭 ;

李承勳 ;

郑秀珍 ;

曺荣大 .

韩国专利 :CN111192923B ,2024-11-12

[2]

包括源极/漏极区的半导体器件 [P].

张星旭 ;

李承勳 ;

郑秀珍 ;

曺荣大 .

中国专利 :CN111192923A ,2020-05-22

[3]

具有无尖端外延源极/漏极区的半导体器件 [P].

M·T·博尔 .

中国专利 :CN101681842A ,2010-03-24

[4]

具有各种形状的源极/漏极图案的半导体器件 [P].

刘贤琯 ;

崔珉姬 .

中国专利 :CN110600551A ,2019-12-20

[5]

半导体器件的源极/漏极结构 [P].

萧颖 .

中国专利 :CN104051532B ,2014-09-17

[6]

具有非对称源极/漏极的半导体器件 [P].

郑钟基 ;

姜明一 ;

金伦楷 ;

李宽钦 .

中国专利 :CN106158969A ,2016-11-23

[7]

具有非对称源极/漏极的半导体器件 [P].

郑钟基 ;

姜明一 ;

金伦楷 ;

李宽钦 .

中国专利 :CN107123685B ,2017-09-01

[8]

包括源极/漏极和栅极通道的半导体器件 [P].

何虹 ;

其哈森·郑 ;

王俊利 ;

殷允朋 .

中国专利 :CN105793968B ,2016-07-20

[9]

包括源极/漏极区上的双接触结构的半导体器件 [P].

李载泓 ;

金珍泰 ;

徐康一 ;

梁明 .

韩国专利 :CN119922972A ,2025-05-02

[10]

半导体器件的带空隙的源极/漏极结构 [P].

郭紫微 ;

吕惟皓 ;

温政彦 ;

游明华 ;

李启弘 .

中国专利 :CN120035172A ,2025-05-23

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