包括源极/漏极区上的双接触结构的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411025594.1

申请日：

2024-07-30

公开(公告)号：

CN119922972A

公开(公告)日：

2025-05-02

发明(设计)人：

李载泓金珍泰徐康一梁明

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10D84/83

IPC分类号：

H10D84/85 H10D62/10 H10D62/13 H10D64/20

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

马晓蒙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-02	公开	公开

共 50 条

[1]

包括源极/漏极区的半导体器件 [P].

张星旭 ;

李承勳 ;

郑秀珍 ;

曺荣大 .

韩国专利 :CN111192923B ,2024-11-12

[2]

包括源极/漏极区的半导体器件 [P].

张星旭 ;

李承勳 ;

郑秀珍 ;

曺荣大 .

中国专利 :CN111192923A ,2020-05-22

[3]

半导体器件的源极/漏极结构 [P].

萧颖 .

中国专利 :CN104051532B ,2014-09-17

[4]

形成源极/漏极上包括导电接触件的半导体器件的方法 [P].

乔治·A·吉尔 ;

咖尼时·海德 ;

沃克·森古皮塔 ;

伯纳·J·欧博阿多威 ;

马克·S·荣德 .

中国专利 :CN106571304B ,2017-04-19

[5]

具有掺杂的源极/漏极区的半导体器件 [P].

南勇准 ;

金真范 ;

李商文 ;

金傔 ;

金孝珍 ;

李泰衡 ;

黄仁建 .

韩国专利 :CN119108426A ,2024-12-10

[6]

包括凹进的源极/漏极硅化物的半导体器件 [P].

李宪福 ;

金哲性 ;

玄尚镇 .

中国专利 :CN109427875A ,2019-03-05

[7]

包括源极/漏极和栅极通道的半导体器件 [P].

何虹 ;

其哈森·郑 ;

王俊利 ;

殷允朋 .

中国专利 :CN105793968B ,2016-07-20

[8]

在半导体器件上形成晶体源极/漏极接触部 [P].

K·贾姆布纳坦 ;

S·J·玛多克斯 ;

C·C·邦伯格 ;

A·S·默西 .

中国专利 :CN111095563A ,2020-05-01

[9]

在半导体器件上形成晶体源极/漏极接触部 [P].

K·贾姆布纳坦 ;

S·J·玛多克斯 ;

C·C·邦伯格 ;

A·S·默西 .

美国专利 :CN111095563B ,2025-12-23

[10]

半导体器件的带空隙的源极/漏极结构 [P].

郭紫微 ;

吕惟皓 ;

温政彦 ;

游明华 ;

李启弘 .

中国专利 :CN120035172A ,2025-05-23

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