在半导体器件上形成晶体源极/漏极接触部

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780094248.0

申请日：

2017-09-26

公开(公告)号：

CN111095563B

公开(公告)日：

2025-12-23

发明(设计)人：

K·贾姆布纳坦 S·J·玛多克斯 C·C·邦伯格 A·S·默西

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H10D30/62

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

邬少俊

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-23	授权	授权

共 50 条

[1]

在半导体器件上形成晶体源极/漏极接触部 [P].

K·贾姆布纳坦 ;

S·J·玛多克斯 ;

C·C·邦伯格 ;

A·S·默西 .

中国专利 :CN111095563A ,2020-05-01

[2]

形成源极/漏极上包括导电接触件的半导体器件的方法 [P].

乔治·A·吉尔 ;

咖尼时·海德 ;

沃克·森古皮塔 ;

伯纳·J·欧博阿多威 ;

马克·S·荣德 .

中国专利 :CN106571304B ,2017-04-19

[3]

半导体器件的源极/漏极结构 [P].

萧颖 .

中国专利 :CN104051532B ,2014-09-17

[4]

包括源极/漏极区上的双接触结构的半导体器件 [P].

李载泓 ;

金珍泰 ;

徐康一 ;

梁明 .

韩国专利 :CN119922972A ,2025-05-02

[5]

包括源极/漏极区的半导体器件 [P].

张星旭 ;

李承勳 ;

郑秀珍 ;

曺荣大 .

韩国专利 :CN111192923B ,2024-11-12

[6]

包括源极/漏极区的半导体器件 [P].

张星旭 ;

李承勳 ;

郑秀珍 ;

曺荣大 .

中国专利 :CN111192923A ,2020-05-22

[7]

半导体器件的源极/漏极区域及其形成方法 [P].

刘威民 ;

舒丽丽 ;

李启弘 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN115084027A ,2022-09-20

[8]

半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法 [P].

林育樟 ;

陈亮吟 ;

聂俊峰 ;

张惠政 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN115036360A ,2022-09-09

[9]

源极/漏极接触件的形成方法及半导体器件的形成方法 [P].

沙哈吉B.摩尔 ;

蔡俊雄 ;

张世杰 ;

游国丰 ;

彭成毅 .

中国专利 :CN109841671B ,2019-06-04

[10]

具有非对称源极/漏极的半导体器件 [P].

郑钟基 ;

姜明一 ;

金伦楷 ;

李宽钦 .

中国专利 :CN106158969A ,2016-11-23

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