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包括源极/漏极区的半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910489544.1
申请日：
2019-06-06
公开(公告)号：
CN111192923A
公开(公告)日：
2020-05-22
发明(设计)人：
张星旭 李承勳 郑秀珍 曺荣大
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道水原市
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2908 H01L21336
代理机构：
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人：
刘灿强;姜长星
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-11-05 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190606
2020-05-22 公开 公开
共 50 条
[1]
包括源极/漏极区的半导体器件 [P]. 
张星旭 ;
李承勳 ;
郑秀珍 ;
曺荣大 .
韩国专利 :CN111192923B ,2024-11-12
[2]
具有掺杂的源极/漏极区的半导体器件 [P]. 
南勇准 ;
金真范 ;
李商文 ;
金傔 ;
金孝珍 ;
李泰衡 ;
黄仁建 .
韩国专利 :CN119108426A ,2024-12-10
[3]
具有无尖端外延源极/漏极区的半导体器件 [P]. 
M·T·博尔 .
中国专利 :CN101681842A ,2010-03-24
[4]
包括源极/漏极区上的双接触结构的半导体器件 [P]. 
李载泓 ;
金珍泰 ;
徐康一 ;
梁明 .
韩国专利 :CN119922972A ,2025-05-02
[5]
包括凹进的源极/漏极硅化物的半导体器件 [P]. 
李宪福 ;
金哲性 ;
玄尚镇 .
中国专利 :CN109427875A ,2019-03-05
[6]
半导体器件的源极/漏极结构 [P]. 
萧颖 .
中国专利 :CN104051532B ,2014-09-17
[7]
包括源极/漏极和栅极通道的半导体器件 [P]. 
何虹 ;
其哈森·郑 ;
王俊利 ;
殷允朋 .
中国专利 :CN105793968B ,2016-07-20
[8]
具有各种形状的源极/漏极图案的半导体器件 [P]. 
刘贤琯 ;
崔珉姬 .
中国专利 :CN110600551A ,2019-12-20
[9]
具有非对称源极/漏极的半导体器件 [P]. 
郑钟基 ;
姜明一 ;
金伦楷 ;
李宽钦 .
中国专利 :CN106158969A ,2016-11-23
[10]
具有非对称源极/漏极的半导体器件 [P]. 
郑钟基 ;
姜明一 ;
金伦楷 ;
李宽钦 .
中国专利 :CN107123685B ,2017-09-01
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