包括凹进的源极/漏极硅化物的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810962227.2

申请日：

2018-08-22

公开(公告)号：

CN109427875A

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

李宪福金哲性玄尚镇

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市灵通区三星路129号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

刘培培;黄隶凡

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20180822
2019-03-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的源极/漏极结构 [P].

萧颖 .

中国专利 :CN104051532B ,2014-09-17

[2]

包括源极/漏极区的半导体器件 [P].

张星旭 ;

李承勳 ;

郑秀珍 ;

曺荣大 .

韩国专利 :CN111192923B ,2024-11-12

[3]

包括源极/漏极区的半导体器件 [P].

张星旭 ;

李承勳 ;

郑秀珍 ;

曺荣大 .

中国专利 :CN111192923A ,2020-05-22

[4]

包括源极/漏极和栅极通道的半导体器件 [P].

何虹 ;

其哈森·郑 ;

王俊利 ;

殷允朋 .

中国专利 :CN105793968B ,2016-07-20

[5]

包括交替的源极和漏极区域以及相应的源极和漏极金属带的半导体器件 [P].

A·W·洛特菲 ;

J·德姆斯基 ;

A·菲根森 ;

D·D·洛帕塔 ;

J·诺顿 ;

J·D·威尔德 .

中国专利 :CN103855216A ,2014-06-11

[6]

具有非对称源极/漏极的半导体器件 [P].

郑钟基 ;

姜明一 ;

金伦楷 ;

李宽钦 .

中国专利 :CN106158969A ,2016-11-23

[7]

具有非对称源极/漏极的半导体器件 [P].

郑钟基 ;

姜明一 ;

金伦楷 ;

李宽钦 .

中国专利 :CN107123685B ,2017-09-01

[8]

包括源极/漏极区上的双接触结构的半导体器件 [P].

李载泓 ;

金珍泰 ;

徐康一 ;

梁明 .

韩国专利 :CN119922972A ,2025-05-02

[9]

包括将源极区域与漏极区域互连的半导体板的半导体器件 [P].

吴俊鹏 ;

大藤彻 ;

蔡庆威 ;

王志豪 ;

刘继文 ;

汤皓玲 ;

何炯煦 ;

佘绍煌 ;

谢文兴 .

中国专利 :CN105280705B ,2016-01-27

[10]

具有掺杂的源极/漏极区的半导体器件 [P].

南勇准 ;

金真范 ;

李商文 ;

金傔 ;

金孝珍 ;

李泰衡 ;

黄仁建 .

韩国专利 :CN119108426A ,2024-12-10

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