具有带底部电介质的外延源极/漏极区域的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410379331.4

申请日：

2024-03-29

公开(公告)号：

CN119317150A

公开(公告)日：

2025-01-14

发明(设计)人：

程健家林哲宇张智强游明华李启弘

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D30/62

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/10 H10D62/13

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

杨佳婧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/62申请日:20240329
2025-01-14	公开	公开

共 50 条

[1]

具有无尖端外延源极/漏极区的半导体器件 [P].

M·T·博尔 .

中国专利 :CN101681842A ,2010-03-24

[2]

处理源极/漏极区域的底部下方的电介质膜 [P].

张廷祥 ;

柯忠廷 ;

廖书翎 ;

林颂恩 ;

徐志安 .

中国专利 :CN119907280A ,2025-04-29

[3]

具有自对准外延源极和漏极延伸部分的半导体器件 [P].

B·塞尔 ;

T·加尼 ;

A·默西 ;

H·戈麦斯 .

中国专利 :CN101622690A ,2010-01-06

[4]

半导体器件的源极/漏极结构 [P].

萧颖 .

中国专利 :CN104051532B ,2014-09-17

[5]

具有非对称源极/漏极的半导体器件 [P].

郑钟基 ;

姜明一 ;

金伦楷 ;

李宽钦 .

中国专利 :CN106158969A ,2016-11-23

[6]

具有非对称源极/漏极的半导体器件 [P].

郑钟基 ;

姜明一 ;

金伦楷 ;

李宽钦 .

中国专利 :CN107123685B ,2017-09-01

[7]

半导体器件的带空隙的源极/漏极结构 [P].

郭紫微 ;

吕惟皓 ;

温政彦 ;

游明华 ;

李启弘 .

中国专利 :CN120035172A ,2025-05-23

[8]

具有掺杂的源极/漏极区的半导体器件 [P].

南勇准 ;

金真范 ;

李商文 ;

金傔 ;

金孝珍 ;

李泰衡 ;

黄仁建 .

韩国专利 :CN119108426A ,2024-12-10

[9]

包括交替的源极和漏极区域以及相应的源极和漏极金属带的半导体器件 [P].

A·W·洛特菲 ;

J·德姆斯基 ;

A·菲根森 ;

D·D·洛帕塔 ;

J·诺顿 ;

J·D·威尔德 .

中国专利 :CN103855216A ,2014-06-11

[10]

包括将源极区域与漏极区域互连的半导体板的半导体器件 [P].

吴俊鹏 ;

大藤彻 ;

蔡庆威 ;

王志豪 ;

刘继文 ;

汤皓玲 ;

何炯煦 ;

佘绍煌 ;

谢文兴 .

中国专利 :CN105280705B ,2016-01-27

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