处理源极/漏极区域的底部下方的电介质膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410616479.5

申请日：

2024-05-17

公开(公告)号：

CN119907280A

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

张廷祥柯忠廷廖书翎林颂恩徐志安

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/01 H01L21/311 H01L21/306 H01L21/02

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

朱亦林

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	公开	公开
2025-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20240517

共 50 条

[1]

具有带底部电介质的外延源极/漏极区域的半导体器件 [P].

程健家 ;

林哲宇 ;

张智强 ;

游明华 ;

李启弘 .

中国专利 :CN119317150A ,2025-01-14

[2]

源极/漏极电介质结构及其制造方法 [P].

魏正禹 ;

林政颐 ;

陈书涵 ;

徐志安 .

中国专利 :CN119521720A ,2025-02-25

[3]

用于源极/漏极区域的背面接触 [P].

朱文熙 ;

王俊利 ;

B·A·安德森 ;

L·西加尔 ;

D·沃尔珀特 ;

谢瑞龙 ;

J·W·斯特朗 .

美国专利 :CN121195342A ,2025-12-23

[4]

穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥 [P].

L·P·古勒尔 ;

刘圣斯 ;

S·阿查里亚 ;

朱宝富 ;

M·拉马纳坦 ;

C·H·华莱士 ;

A·K·拉卡尼 .

美国专利 :CN118825023A ,2024-10-22

[5]

穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥 [P].

L·P·古勒尔 ;

刘圣斯 ;

S·阿查里亚 ;

朱宝富 ;

M·拉马纳坦 ;

C·H·华莱士 ;

A·K·拉卡尼 .

美国专利 :CN118825018A ,2024-10-22

[6]

受限源极/漏极外延区域及其形成方法 [P].

游政卫 ;

郭紫微 ;

杨宗熺 ;

周立维 ;

游明华 .

中国专利 :CN111244084A ,2020-06-05

[7]

受限源极/漏极外延区域及其形成方法 [P].

游政卫 ;

郭紫微 ;

杨宗熺 ;

周立维 ;

游明华 .

中国专利 :CN117976623A ,2024-05-03

[8]

用于形成源极/漏极接触的方法 [P].

周顺益 ;

S·德姆恩克 .

中国专利 :CN109755120B ,2019-05-14

[9]

在相邻源极或漏极区域之上延伸的触点 [P].

L·P·古勒尔 ;

刘圣斯 ;

朱宝富 ;

C·H·华莱士 ;

C·J·恩格尔 ;

G·艾伦 ;

S·阿查里亚 ;

T·奥布莱恩 .

美国专利 :CN118693080A ,2024-09-24

[10]

调整源极/漏极区域的轮廓以减少泄漏 [P].

郭紫微 ;

杨咏竣 ;

温政彦 ;

舒丽丽 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN115440791A ,2022-12-06

← 1 2 3 4 5 →