具有自对准源区的功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910777685.3

申请日：

2019-08-22

公开(公告)号：

CN110858546A

公开(公告)日：

2020-03-03

发明(设计)人：

H-J.蒂斯

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21331 H01L2978 H01L29739 H01L21283 H01L29423

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘茜璐;申屠伟进

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-03	公开	公开
2021-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20190822

共 50 条

[1]

具有自对准源区的功率半导体器件 [P].

H-J.蒂斯 .

德国专利 :CN110858546B ,2025-03-28

[2]

具有自对准沟槽屏蔽区的栅极沟槽功率半导体器件及相关方法 [P].

W·基姆 ;

N·伊斯拉米 ;

M·萨姆帕斯 ;

柳世衡 ;

R·R·波特拉 ;

池寅焕 .

美国专利 :CN120836201A ,2025-10-24

[3]

功率半导体器件以及生产功率半导体器件的方法 [P].

H-J·特斯 .

德国专利 :CN120692902A ,2025-09-23

[4]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

F·普菲尔施 ;

H-J·舒尔茨 ;

V·范特里克 .

德国专利 :CN119743963A ,2025-04-01

[5]

具L形源极区的功率半导体器件 [P].

曾军 ;

孙伯益 .

中国专利 :CN1862830A ,2006-11-15

[6]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

F·D·普菲尔施 ;

T·昆齐格 .

中国专利 :CN115602704A ,2023-01-13

[7]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

M·佩尔马尔 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN121174536A ,2025-12-19

[8]

具有自对准互连件的半导体器件 [P].

张世明 ;

谢艮轩 ;

欧宗桦 ;

刘如淦 ;

范芳瑜 ;

侯元德 .

中国专利 :CN103378054A ,2013-10-30

[9]

具有自对准通孔的半导体器件 [P].

陈建汉 ;

邱建智 ;

梁明中 .

中国专利 :CN111128855A ,2020-05-08

[10]

具有自对准互连件的半导体器件 [P].

池育德 ;

李介文 ;

郭政雄 ;

蔡宗哲 ;

宋明相 ;

宋弘政 ;

王宏烵 .

中国专利 :CN103426915A ,2013-12-04

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