具L形源极区的功率半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200510071202.6
申请日
2005-05-13
公开(公告)号
CN1862830A
公开(公告)日
2006-11-15
发明(设计)人
曾军 孙伯益
申请人
申请人地址
开曼群岛乔治镇斯科帝亚中心4楼2804邮箱
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L29772
代理机构
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人
张龙哺;郑特强
法律状态
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
国省代码
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共 50 条
[1]
具埋入式栅极总线的功率半导体器件及其制法 [P]. 
曾军 ;
孙伯益 .
中国专利 :CN1862829A ,2006-11-15
[2]
具有自对准源区的功率半导体器件 [P]. 
H-J.蒂斯 .
德国专利 :CN110858546B ,2025-03-28
[3]
包括源极/漏极区的半导体器件 [P]. 
张星旭 ;
李承勳 ;
郑秀珍 ;
曺荣大 .
韩国专利 :CN111192923B ,2024-11-12
[4]
包括源极/漏极区的半导体器件 [P]. 
张星旭 ;
李承勳 ;
郑秀珍 ;
曺荣大 .
中国专利 :CN111192923A ,2020-05-22
[5]
具有自对准源区的功率半导体器件 [P]. 
H-J.蒂斯 .
中国专利 :CN110858546A ,2020-03-03
[6]
功率半导体器件有源区的制造方法 [P]. 
李学会 .
中国专利 :CN106024635B ,2016-10-12
[7]
具有无尖端外延源极/漏极区的半导体器件 [P]. 
M·T·博尔 .
中国专利 :CN101681842A ,2010-03-24
[8]
具有掺杂的源极/漏极区的半导体器件 [P]. 
南勇准 ;
金真范 ;
李商文 ;
金傔 ;
金孝珍 ;
李泰衡 ;
黄仁建 .
韩国专利 :CN119108426A ,2024-12-10
[9]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P]. 
A·莫德 ;
H-J·泰斯 .
德国专利 :CN119767702A ,2025-04-04
[10]
功率半导体器件 [P]. 
杨彦涛 ;
王平 ;
陈文伟 .
中国专利 :CN207781613U ,2018-08-28