具有自对准沟槽屏蔽区的栅极沟槽功率半导体器件及相关方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380095424.8

申请日：

2023-12-13

公开(公告)号：

CN120836201A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

W·基姆 N·伊斯拉米 M·萨姆帕斯柳世衡 R·R·波特拉池寅焕

申请人：

沃孚半导体公司

申请人地址：

美国

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/66 H10D30/01

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

刘倜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开
2025-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20231213

共 50 条

[1]

具有阱注入期间形成的沟槽屏蔽图案的栅极沟槽功率半导体器件及相关方法 [P].

M·萨姆帕斯 ;

柳世衡 ;

N·伊斯拉米 ;

W·基姆 .

美国专利 :CN119563387A ,2025-03-04

[2]

屏蔽栅极沟槽半导体结构与屏蔽栅极沟槽半导体器件 [P].

刘坚 .

中国专利 :CN113889536B ,2025-01-24

[3]

屏蔽栅极沟槽半导体结构与屏蔽栅极沟槽半导体器件 [P].

刘坚 .

中国专利 :CN113889536A ,2022-01-04

[4]

具有带有注入侧壁的栅极沟槽的功率半导体器件及相关方法 [P].

D·J·里切特恩沃尔纳 ;

E·R·万布鲁特 ;

B·胡尔 ;

A·V·苏沃洛弗 ;

C·卡派尔 .

美国专利 :CN110036461B ,2024-07-23

[5]

具有带有注入侧壁的栅极沟槽的功率半导体器件及相关方法 [P].

D·J·里切特恩沃尔纳 ;

E·R·万布鲁特 ;

B·胡尔 ;

A·V·苏沃洛弗 ;

C·卡派尔 .

中国专利 :CN110036461A ,2019-07-19

[6]

具有栅极沟槽和掩埋的终端结构的功率半导体器件及相关方法 [P].

D·J·里切特恩沃尔纳 ;

E·R·万布鲁特 ;

B·胡尔 .

中国专利 :CN110036486A ,2019-07-19

[7]

用于沟槽半导体器件的支撑屏蔽结构 [P].

W·基姆 ;

D·J·里克腾沃纳 ;

N·伊斯拉米 ;

M·萨姆帕斯 ;

柳世衡 .

美国专利 :CN119422458A ,2025-02-11

[8]

沟槽栅极半导体器件 [P].

史蒂文·皮克 ;

菲尔·鲁特 .

中国专利 :CN114823877A ,2022-07-29

[9]

一种具有栅极沟槽的半导体功率器件 [P].

尼克·吉尔·施耐德 ;

宝拉·迪亚兹·雷戈萨 ;

拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安 .

中国专利 :CN117352554A ,2024-01-05

[10]

一种具有栅极沟槽的半导体功率器件 [P].

尼克·吉尔·施耐德 ;

宝拉·迪亚兹·雷戈萨 ;

拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安 .

中国专利 :CN117352554B ,2024-02-27

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