一种具有栅极沟槽的半导体功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311644284.3

申请日：

2023-12-04

公开(公告)号：

CN117352554A

公开(公告)日：

2024-01-05

发明(设计)人：

尼克·吉尔·施耐德宝拉·迪亚兹·雷戈萨拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安

申请人：

赛晶亚太半导体科技（北京）有限公司瑞士半导体科技有限公司赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司

申请人地址：

101318 北京市顺义区空港融慧园9号3层301

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/739

代理机构：

北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙) 11504

代理人：

毛雨田

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省嘉兴市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-27	授权	授权
2024-01-05	公开	公开
2024-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20231204

共 50 条

[1]

一种具有栅极沟槽的半导体功率器件 [P].

尼克·吉尔·施耐德 ;

宝拉·迪亚兹·雷戈萨 ;

拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安 .

中国专利 :CN117352554B ,2024-02-27

[2]

一种沟槽功率半导体器件 [P].

沈良金 .

中国专利 :CN218274575U ,2023-01-10

[3]

具有沟槽栅极结构的宽带隙半导体器件 [P].

R·西明耶科 ;

T·艾钦格 ;

W·伯格纳 ;

R·埃斯特夫 ;

K·费尔德拉普 ;

D·屈克 ;

D·彼得斯 ;

R·拉普 ;

C·施特伦格 ;

B·齐佩利乌斯 .

中国专利 :CN107452803A ,2017-12-08

[4]

一种具有沟槽型栅极的半导体器件 [P].

周源 ;

方宇 ;

王超 ;

朱林迪 ;

常东旭 ;

梁维佳 .

中国专利 :CN213816161U ,2021-07-27

[5]

一种沟槽式半导体功率器件栅极导出的制造方法 [P].

陈智勇 .

中国专利 :CN102315110B ,2012-01-11

[6]

沟槽型半导体功率器件 [P].

杨晓鸾 ;

陈天 ;

武洪建 .

中国专利 :CN203118953U ,2013-08-07

[7]

沟槽型半导体功率器件 [P].

郭大川 ;

庄乔舜 .

美国专利 :CN120051006A ,2025-05-27

[8]

屏蔽栅极沟槽半导体结构与屏蔽栅极沟槽半导体器件 [P].

刘坚 .

中国专利 :CN113889536B ,2025-01-24

[9]

屏蔽栅极沟槽半导体结构与屏蔽栅极沟槽半导体器件 [P].

刘坚 .

中国专利 :CN113889536A ,2022-01-04

[10]

沟槽栅极半导体器件 [P].

史蒂文·皮克 ;

菲尔·鲁特 .

中国专利 :CN114823877A ,2022-07-29

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